碳氟感应耦合等离子体及其SiO2介质刻蚀研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-14页 |
| ·研究背景及历史 | 第7-10页 |
| ·研究现状 | 第10-13页 |
| ·本文的研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 实验 | 第14-18页 |
| ·ICP 的原理和特点 | 第14-16页 |
| ·实验设备及实验过程 | 第16-18页 |
| 第三章 等离子体的诊断及刻蚀的表征 | 第18-27页 |
| ·等离子体诊断工具 | 第18-24页 |
| ·探针的测量条件及原理 | 第18-22页 |
| ·探针数据的处理 | 第22-23页 |
| ·发射光谱 | 第23-24页 |
| ·扫描电镜 | 第24-27页 |
| 第四章 刻蚀及等离子体诊断研究 | 第27-36页 |
| ·SiO_2 刻蚀速率随参数的变化 | 第27-30页 |
| ·SiO_2 刻蚀速率随 R 的变化 | 第28-29页 |
| ·SiO_2 刻蚀速率随基片偏压、源功率的变化 | 第29-30页 |
| ·等离子体的诊断 | 第30-33页 |
| ·朗缪尔探针 | 第30-31页 |
| ·发射光谱 | 第31-33页 |
| ·SiO_2 介质光栅的刻蚀 | 第33-36页 |
| 第五章 结论 | 第36-38页 |
| ·本文的主要结论 | 第36页 |
| ·存在的问题和改进方案 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 详细摘要 | 第43-47页 |
