| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1-1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1-2 RTD 材料结构的发展 | 第10-13页 |
| 1-3 研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 共振隧穿二极管基本原理 | 第14-24页 |
| 2-1 共振隧穿二极管 | 第14-19页 |
| 2-1-1 隧穿基本概念 | 第14-15页 |
| 2-1-2 双势垒 RTD 的基本工作原理 | 第15-19页 |
| 2-2 RTD 隧穿模型 | 第19-21页 |
| 2-2-1 相干隧穿模型 | 第19-20页 |
| 2-2-2 顺序隧穿模型 | 第20-21页 |
| 2-3 影响 RTD 器件性能的因素 | 第21-24页 |
| 2-3-1 电子散射 | 第21-22页 |
| 2-3-2 空间电荷效应 | 第22页 |
| 2-3-3 RTD 的电流成分 | 第22-24页 |
| 第三章 分子束外延 | 第24-32页 |
| 3-1 引言 | 第24-25页 |
| 3-2 固态 MBE 生长设备 | 第25-27页 |
| 3-3 MBE 材料生长 | 第27-28页 |
| 3-3-1 MBE 的动力学模型 | 第27页 |
| 3-3-2 生长热力学与局部平衡态 | 第27-28页 |
| 3-4 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第28-30页 |
| 3-5 衬底处理 | 第30-32页 |
| 第四章 InP 基 RTD 材料结构的制备 | 第32-40页 |
| 4-1 RTD 的材料结构设计 | 第32-35页 |
| 4-1-1 两种电流成分的处理 | 第32页 |
| 4-1-2 L_b、L_w与器件J_(RT)间的关系 | 第32-33页 |
| 4-1-3 势垒高度H_B与电流密度J 的关系 | 第33页 |
| 4-1-4 采用隔离层结构 | 第33-34页 |
| 4-1-5 发射区掺杂浓度的影响 | 第34页 |
| 4-1-6 InP 基RTD 材料结构设计 | 第34-35页 |
| 4-2 RTD 外延片的制备和测试 | 第35-40页 |
| 4-2-1 结构外延试验 | 第35-36页 |
| 4-2-2 结构材料制备 | 第36-37页 |
| 4-2-3 外延片测试 | 第37-40页 |
| 第五章 InP基 RTD器件的制作 | 第40-46页 |
| 5-1 RTD 器件结构 | 第40-41页 |
| 5-1-1 台面结构 | 第40-41页 |
| 5-1-2 平面结构 | 第41页 |
| 5-2 器件制作工艺 | 第41-43页 |
| 5-2-1 光刻工艺 | 第41-42页 |
| 5-2-2 金属化 | 第42-43页 |
| 5-3 InP 基 RTD 器件的制作 | 第43-46页 |
| 5-3-1 RTD 器件的典型制作工艺 | 第43页 |
| 5-3-2 RTD 制造工艺的关键问题 | 第43-44页 |
| 5-3-3 InP 基RTD 器件制作 | 第44页 |
| 5-3-4 器件直流特性测试 | 第44-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第51页 |