| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·ZnO的性质 | 第9-13页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·ZnO的电学性质及其掺杂 | 第10-11页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO的其他性质和用途 | 第12-13页 |
| ·ZnO的制备 | 第13-19页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第14页 |
| ·脉冲激光淀积(PLD) | 第14页 |
| ·化学气相淀积(CVD) | 第14页 |
| ·喷雾热分解法(Spray pyrolysis) | 第14-15页 |
| ·溶胶—凝胶法(Sol-gel) | 第15页 |
| ·真空溅射技术(Sputtering) | 第15-18页 |
| ·本组自行设计的多靶多功能溅射台简介 | 第18-19页 |
| ·ZnO光电材料的研究现状 | 第19-22页 |
| ·本论文主要工作 | 第22-23页 |
| 本章参考文献 | 第23-25页 |
| 第二章 氧化锌薄膜的银掺杂 | 第25-56页 |
| ·ZnO材料p型掺杂的研究现状 | 第25-29页 |
| ·ZnO薄膜p型掺杂的困难 | 第25-27页 |
| ·已有的ZnO薄膜p型掺杂方案 | 第27-28页 |
| ·Ag掺杂的理论背景 | 第28-29页 |
| ·ZnO∶Ag的制备、成分和形貌 | 第29-35页 |
| ·ZnO∶Ag的制备 | 第29-30页 |
| ·ZnO∶Ag的成分和形貌 | 第30-35页 |
| ·ZnO∶Ag的电学性质和p-n结 | 第35-43页 |
| ·ZnO∶Ag的光学性质 | 第43-52页 |
| ·ZnO薄膜的发光机理 | 第43-46页 |
| ·ZnO∶Ag薄膜的PL光谱 | 第46-50页 |
| ·ZnO∶Ag薄膜的激发光谱 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 本章参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 硅基片外延氧化锌薄膜及其过渡层 | 第56-84页 |
| ·溅射参数对Si基片外延ZnO薄膜的影响 | 第58-62页 |
| ·淀积温度对ZnO薄膜的影响 | 第59-60页 |
| ·淀积气氛对ZnO薄膜的影响 | 第60-61页 |
| ·溅射电压对ZnO薄膜的影响 | 第61-62页 |
| ·Si基外延ZnO薄膜的深能级分析 | 第62-69页 |
| ·Si基片外延ZnO薄膜的制备 | 第62页 |
| ·样品形貌 | 第62-63页 |
| ·深能级瞬态谱(DLTS)研究 | 第63-69页 |
| ·利用SiC过渡层在Si基片上外延ZnO薄膜 | 第69-74页 |
| ·SiC过渡层的制备 | 第69-70页 |
| ·在SiC过渡层上外延ZnO薄膜 | 第70-74页 |
| ·利用Al_2O_3过渡层在Si基片上外延ZnO薄膜 | 第74-80页 |
| ·Al_2O_3过渡层和ZnO薄膜的制备 | 第74-75页 |
| ·Al_2O_3过渡层对ZnO薄膜的影响 | 第75-76页 |
| ·Al_2O_3过渡层的淀积条件优化 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 本章参考文献 | 第82-84页 |
| 第四章 氧化锌的光电转换特性 | 第84-100页 |
| ·ZnO的光电转换特性 | 第85-92页 |
| ·半导体的光电转换特性(光伏效应) | 第85-86页 |
| ·ZnO/p-Si异质结的制备和表征 | 第86-87页 |
| ·ZnO/p-Si异质结的光电转换特性 | 第87-92页 |
| ·ZnO基紫外探测器件 | 第92-97页 |
| ·ZnO∶Al/SiC/Si异质p-n结紫外探测原型器件 | 第92-95页 |
| ·Au/ZnO/p-Si结构紫外增强光电三极管 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 本章参考文献 | 第99-100页 |
| 第五章 总结与展望 | 第100-105页 |
| ·总结 | 第100-102页 |
| ·ZnO薄膜的Ag掺杂 | 第100-101页 |
| ·硅基片外延氧化锌薄膜及其过渡层研究 | 第101-102页 |
| ·氧化锌的光电转换特性 | 第102页 |
| ·仍需解决的问题 | 第102-104页 |
| ·ZnO薄膜的Ag掺杂 | 第102-103页 |
| ·硅基片外延氧化锌薄膜及其过渡层研究 | 第103-104页 |
| ·氧化锌的光电转换特性 | 第104页 |
| ·展望 | 第104-105页 |
| 直博期间论文目录 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107页 |