| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| ·硅基光波导研究进展 | 第8-11页 |
| ·外延型光波导 | 第9页 |
| ·SOI 光波导 | 第9-10页 |
| ·硅基SiO_2 光波导 | 第10页 |
| ·GeSi／Si 光波导 | 第10-11页 |
| ·本论文的工作 | 第11页 |
| ·本论文的章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 光波导的基本理论 | 第13-25页 |
| ·平面光波导的基本理论 | 第13-17页 |
| ·矩形光波导理论 | 第17-23页 |
| ·光波导的损耗 | 第23-25页 |
| 第三章 硅基SiO_2光波导薄膜材料的制备工艺 | 第25-31页 |
| ·硅基SiO_2 光波制备过程 | 第25-26页 |
| ·硅基SiO_2 光波导薄膜材料的制备 | 第26-30页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第26-27页 |
| ·火焰水解法(Flame Hydrolysis Deposition) | 第27-28页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第28-29页 |
| ·其他方法 | 第29-30页 |
| ·制备工艺小结 | 第30-31页 |
| 第四章 PECVD 法制备硅基SiO_2光波导薄膜材料的原理和过程 | 第31-38页 |
| ·PECVD 基本原理 | 第31-33页 |
| ·PECVD 设备结构 | 第33-35页 |
| ·PECVD 制备硅基SiO_2 光波导材料过程 | 第35-38页 |
| ·实验材料 | 第35-36页 |
| ·实验流程 | 第36-38页 |
| 第五章 光波导薄膜材料特性参数测试分析 | 第38-52页 |
| ·材料的表征手段 | 第38-44页 |
| ·扫描电子显微镜SEM | 第38-39页 |
| ·原子力显微镜AFM | 第39-41页 |
| ·X 射线光电子能谱XPS | 第41-44页 |
| ·实验结果分析 | 第44-52页 |
| ·表面形貌分析 | 第44-47页 |
| ·粗糙度分析 | 第47-48页 |
| ·材料成分分析 | 第48-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |