| 第1章 前言 | 第1-10页 |
| ·立题依据 | 第8-9页 |
| ·研究构思 | 第9-10页 |
| 第2章 文献综述 | 第10-28页 |
| ·SiGe基本性质 | 第10-15页 |
| ·应变与临界厚度 | 第10-12页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金的带隙 | 第12-13页 |
| ·迁移率 | 第13-15页 |
| ·电子迁移率 | 第13-14页 |
| ·空穴迁移率 | 第14-15页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第15-17页 |
| ·快速热退火法 | 第15-16页 |
| ·准分子激光退火法 | 第16页 |
| ·固相晶化法 | 第16-17页 |
| ·非晶衬底上生长多晶Si_(1-x)Ge_x薄膜 | 第17-24页 |
| ·多晶Si_(1-x)Ge_x在二氧化硅上成核机理 | 第17-18页 |
| ·选择性外延生长Si_(1-x)Ge_x | 第18-20页 |
| ·多晶Si_(1-x)Ge_x薄膜的生长技术 | 第20-23页 |
| ·快速热处理化学气相沉积(RTCVD) | 第21页 |
| ·等离子极低压化学气相化学沉积(PE-VLPCVD) | 第21-22页 |
| ·超高真空化学气相沉积(UHVCVD) | 第22-23页 |
| ·金属诱导横向晶化法 | 第23-24页 |
| ·多晶锗硅材料的应用 | 第24-25页 |
| ·多晶锗硅栅极MOSFET | 第24-25页 |
| ·多晶锗硅薄膜晶体管 | 第25页 |
| ·多晶锗硅的研究现状 | 第25-27页 |
| ·本论文的内容 | 第27-28页 |
| 第3章 材料生长设备及材料表征手段 | 第28-35页 |
| ·超高真空化学气相沉积技术的特点 | 第28-29页 |
| ·UHVCVD实验设备结构 | 第29-31页 |
| ·主体部分 | 第29-30页 |
| ·抽气系统 | 第30页 |
| ·气路及控制部分 | 第30-31页 |
| ·UHVCVD基本操作流程 | 第31-32页 |
| ·分析测试方法简介 | 第32-35页 |
| ·高分辨XRD仪 | 第33页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第33页 |
| ·透射电子显微镜 | 第33-34页 |
| ·X射线荧光光谱仪(XPS) | 第34-35页 |
| 第4章 利用UHVCVD进行SiGe的选择性外延生长的研究 | 第35-42页 |
| ·实验方案的选择 | 第35页 |
| ·实验流程 | 第35-37页 |
| ·样品的制各 | 第35-36页 |
| ·生长参数的选择 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-41页 |
| ·H_2的影响 | 第37-40页 |
| ·Ge含量的影响 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第5章 不同金属诱导生长多晶锗硅的研究 | 第42-51页 |
| ·以Al为诱导金属生长多晶锗硅 | 第42-44页 |
| ·样品制备 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-44页 |
| ·以Ni为诱导金属生长多晶锗硅 | 第44-46页 |
| ·样品制备 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-46页 |
| ·Ni与Si的固相反应研究 | 第46-50页 |
| ·样品制备 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-48页 |
| ·Ni对形核初期形貌的影响 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第6章 Ni诱导结合不同缓冲层生长多晶Si_(1-x)Ge_x | 第51-59页 |
| ·采用Ni诱导无缓冲层生长多晶Si_(1-x)Ge_x | 第51-52页 |
| ·样品制备 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52页 |
| ·Ni诱导和Si和Ge双层缓冲层生长多晶Si_(1-x)Ge_x | 第52-53页 |
| ·样品制备 | 第52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-53页 |
| ·采用Ni诱导和Si缓冲层生长多晶Si_(1-x)Ge_x | 第53-58页 |
| ·样品制备 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-58页 |
| ·薄膜的表面形貌和结晶性分析 | 第55页 |
| ·Ni在薄膜样品中的分布 | 第55-56页 |
| ·Ni_(1-x)Si_x化合物的状态分析 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第7章 总结 | 第59-61页 |
| ·低温选择性锗硅材料 | 第59页 |
| ·非晶衬底上生长多晶锗硅材料 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录A 硕士期间研究成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
