Si基SiO2阵列波导光栅理论分析及工艺制备
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-4页 |
| 目录 | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·光纤通信技术 | 第7-9页 |
| ·全光网络和WDM技术 | 第9-10页 |
| ·光集成器件AWG基础及工艺概述 | 第10-13页 |
| ·AWG基础 | 第10-12页 |
| ·光集成器件工艺概述 | 第12-13页 |
| ·本论文主要内容 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 Si基SiO_2光波导分类及理论分析 | 第15-35页 |
| ·Si基SiO_2光波导的分类 | 第15-17页 |
| ·电磁场理论基础 | 第17-19页 |
| ·Si基SiO_2光波导理论分析 | 第19-34页 |
| ·平板波导 | 第19-28页 |
| ·条形波导 | 第28-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 AWG基本原理及实例设计 | 第35-52页 |
| ·AWG基本原理 | 第35-39页 |
| ·基本结构及性能参数 | 第35-38页 |
| ·器件性能改进方法 | 第38-39页 |
| ·AWG设计方法 | 第39-46页 |
| ·AWG整体设计方法 | 第39-40页 |
| ·AWG版图设计 | 第40-46页 |
| ·16通道100GHz AWG的实例设计 | 第46-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第四章 阵列波导光栅AWG制作工艺研究 | 第52-67页 |
| ·光波导材料概述 | 第52-54页 |
| ·SiO_2薄膜的制备 | 第54-58页 |
| ·热氧化法 | 第54-56页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第56页 |
| ·火焰水解法 | 第56-57页 |
| ·等离子化学气相沉积 | 第57-58页 |
| ·光刻及图像转移 | 第58-61页 |
| ·刻蚀工艺 | 第61-65页 |
| ·湿法化学腐蚀 | 第61-62页 |
| ·干法刻蚀技术概述 | 第62-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第五章 AWG器件的制备 | 第67-85页 |
| ·器件制作的前道准备 | 第67页 |
| ·PECVD法生长SiO_2薄膜 | 第67-71页 |
| ·光刻图形转移和掩膜剥离技术 | 第71-73页 |
| ·ICP刻蚀 | 第73-80页 |
| ·刻蚀速率 | 第74-75页 |
| ·刻蚀表面粗糙度 | 第75-80页 |
| ·光波导器件的测试 | 第80-83页 |
| ·测试流程 | 第80-81页 |
| ·测试装置 | 第81页 |
| ·测试过程和结果 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第六章 总结与展望 | 第85-88页 |
| ·论文总结 | 第85页 |
| ·阵列波导光栅设计与工艺的继续研究 | 第85-86页 |
| ·光集成器件发展展望 | 第86-88页 |
| 硕士期间发表论文 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
