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临界Casimir效应的场论方法研究

致谢第1-4页
摘要第4-5页
Abstract第5-9页
第一章 引言第9-11页
第二章 Casimir效应第11-17页
   ·Casimir效应第11-13页
   ·涨落致力,广义Casimir效应第13-17页
第三章 临界Casimir效应第17-31页
   ·临界Casimir效应第17-19页
   ·实验与MC模拟结果第19-25页
     ·混和液体薄膜实验第19-21页
     ·~4He薄膜实验第21-23页
     ·MC模拟结果第23-25页
   ·理论研究进展第25-31页
     ·2维Ising模型带严格解第25-26页
     ·球模型严格解第26-28页
     ·临界温度以上的GLW模型第28-31页
第四章 模型和方法第31-39页
   ·GLW模型第31-33页
   ·微扰方法第33-35页
   ·重整化群方法第35-39页
第五章 初步结果第39-53页
   ·周期性边界条件下的单圈近似第39-47页
     ·未重整化Casimir压强第39-41页
     ·重整化结果第41-43页
     ·与MC模拟结果比较第43-47页
   ·(D,D)边界条件平均场近似第47-51页
     ·未重整化Casimir压强第47-48页
     ·重整化结果第48-51页
   ·高阶近似下的红外发散困难第51-53页
第六章 小结与展望第53-55页
附录第55-61页
 附录A 周期性边界条件下f_e单圈近似第55-56页
 附录B (D,D)边界条件下的平均场序参量第56-58页
 附录C (D,D)边界条件下f_e,P_C平均场近似第58-61页
参考文献第61-62页

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