| 第一章 绪 论 | 第1-28页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·文献综述 | 第10-28页 |
| ·合成方法 | 第10-13页 |
| ·高温法 | 第10-12页 |
| ·中温法 | 第12页 |
| ·低温法 | 第12-13页 |
| ·溶剂热生长技术 | 第13-19页 |
| ·反应试剂 | 第13-17页 |
| ·反应容器 | 第17页 |
| ·溶剂热反应 | 第17-19页 |
| ·溶剂热合成的多元金属硫族化合物 | 第19-21页 |
| ·多元金属硫族化合物的结构特征 | 第21-23页 |
| ·化合物的成键作用 | 第21-22页 |
| ·溶剂在多元金属硫族化合物中的作用 | 第22页 |
| ·晶体结构的低维性 | 第22-23页 |
| ·介稳相 | 第23页 |
| ·电子结构 | 第23页 |
| ·影响晶体结构的因素 | 第23-25页 |
| ·碱金属A+的数量 | 第23-24页 |
| ·阳离子的大小 | 第24-25页 |
| ·M的影响 | 第25页 |
| ·有机溶剂热生长技术的应用 | 第25-26页 |
| ·制备纳米级的半导体薄膜和半导体微晶 | 第25页 |
| ·离子交换特性的利用 | 第25-26页 |
| ·溶剂热法合成多元金属硫族化合物研究评价 | 第26-28页 |
| 第二章 研究方法和方案 | 第28-35页 |
| ·本课题研究的内容 | 第28页 |
| ·研究方法和方案 | 第28-32页 |
| ·分子设计 | 第28-32页 |
| ·中心离子的选择 | 第29-31页 |
| ·配体的选择 | 第31-32页 |
| ·溶剂的选择 | 第32页 |
| ·反应条件的控制 | 第32页 |
| ·结构和性能表征方法 | 第32-35页 |
| 第三章 实验部分 | 第35-51页 |
| ·实验药品和实验仪器 | 第35-36页 |
| ·实验药品 | 第35页 |
| ·实验仪器 | 第35-36页 |
| ·前躯体K2Se, K2Se4, K2Te4的合成 | 第36-37页 |
| ·实验装置图 | 第36-37页 |
| ·合成 | 第37页 |
| ·AxMyLnM'y'Qz合成 | 第37-47页 |
| ·合成的一般步骤 | 第37-38页 |
| ·合成的AxMyLnM'y'Qz | 第38-47页 |
| ·[Mn(en)3](Hen)SbSe4的合成 | 第46页 |
| ·K2MnSnTe4的合成 | 第46-47页 |
| ·晶体结构性能表征 | 第47-48页 |
| ·晶体化学成分测定 | 第47-48页 |
| ·[Mn(en)3](Hen)SbSe4化学组成的测定 | 第48页 |
| ·K2MnSnTe4化学组成的测定 | 第48页 |
| ·单晶结构测定 | 第48-50页 |
| ·[Mn(en)3](Hen)SbSe4单晶结构测定 | 第49页 |
| ·K2MnSnTe4的XRD粉末衍射 | 第49-50页 |
| ·UV-VIS-NIR反射光谱的测定 | 第50页 |
| ·热分析 | 第50-51页 |
| ·[Mn(en)3](Hen)SbSe4的热分析 | 第50-51页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第51-74页 |
| ·合成的新型化合物 | 第51页 |
| ·晶体结构描述 | 第51-62页 |
| ·[Mn(en)3](Hen)SbSe4的晶体结构 | 第51-58页 |
| ·K2MnSnTe4的晶体结构预测 | 第58-62页 |
| ·结构与性能的关系 | 第62-65页 |
| ·半导体性质 | 第62页 |
| ·[Mn(en)3](Hen)SbSe4的性能研究 | 第62-64页 |
| ·光吸收性能 | 第62-63页 |
| ·热稳定性 | 第63-64页 |
| ·K2MnSnTe4的性能研究 | 第64-65页 |
| ·光吸收性能 | 第64-65页 |
| ·合成的硫族硒、碲化合物晶体结构特征 | 第65-69页 |
| ·[Mn(en)3]nM'QZ晶体结构特征 | 第65-68页 |
| ·Zintl阴离子[SbyQz]x-、[SnyQz]x | 第68-69页 |
| ·溶剂热反应的讨论 | 第69-74页 |
| ·溶剂 | 第69-71页 |
| ·配体 | 第71-72页 |
| ·中心离子 | 第72页 |
| ·反应配比 | 第72页 |
| ·反应温度 | 第72-73页 |
| ·反应时间 | 第73-74页 |
| 第五章 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 学习期间发表论文情况 | 第84页 |
