| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·GaN 材料简介 | 第9-11页 |
| ·GaN 电子器件与AlGaN/GaN HEMT 研究进展 | 第11-17页 |
| ·GaN 电子器件 | 第11-13页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 研究进展 | 第13-15页 |
| ·GaN 肖特基二极管与HMET 器件制作的关键工艺 | 第15-16页 |
| ·本文中Ni-Au 肖特基接触的制作过程 | 第16-17页 |
| ·本论文研究意义以及主要研究内容 | 第17-19页 |
| ·本文的研究意义 | 第17页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 金属半导体肖特基接触的基本理论 | 第19-27页 |
| ·金属和半导体接触的基本理论 | 第19-20页 |
| ·金属和半导体的功函数 | 第19页 |
| ·接触电势差 | 第19-20页 |
| ·肖特基势垒 | 第20-25页 |
| ·Schottky-Mott 理论 | 第20-23页 |
| ·镜像力势垒下降效应 | 第23-25页 |
| ·隧穿效应的影响 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 肖特基结参数分析与电流运输机理研究 | 第27-45页 |
| ·肖特基接触电流输运的基础理论 | 第27-31页 |
| ·电流输运机制 | 第27-28页 |
| ·热电子发射和扩散理论 | 第28-29页 |
| ·考虑隧道电流的热电子发射理论 | 第29-30页 |
| ·复合理论与空穴注入理论 | 第30-31页 |
| ·参数的提取方法 | 第31-34页 |
| ·I-V 测试提取势垒高度和理想因子的方法 | 第31-32页 |
| ·C-V 测试提取势垒高度和掺杂浓度 N_D 的方法 | 第32-33页 |
| ·本文中所用参数提取方法 | 第33-34页 |
| ·基于I-V-T 和C-V-T 的AlGaN/GaN 肖特基结电流输运机理研究 | 第34-39页 |
| ·GaN 肖特基电流输运机理研究概况 | 第34-35页 |
| ·试验与测试设计 | 第35页 |
| ·试验结果分析与讨论 | 第35-38页 |
| ·结论 | 第38-39页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结肖特基特性研究 | 第39-43页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结Ni/Au 肖特基中的拐弯现象 | 第39-40页 |
| ·Al 组分对肖特基接触的影响 | 第40-43页 |
| ·位错对肖特基接触特性的影响 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 肖特基高温退火机理研究 | 第45-55页 |
| ·肖特基高温退火机理研究的背景 | 第45页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 肖特基器件的制备 | 第45-48页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料的制备 | 第45-46页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的制备 | 第46-48页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 肖特基器件的制备 | 第48-54页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 肖特基退火实验 | 第48-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 肖特基退火分析 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结束语 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第63-64页 |
