硅太阳能电池中击穿机制的研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 太阳能电池简介 | 第8-16页 |
·太阳能电池发展前景 | 第8-10页 |
·太阳能电池的工作原理及构造 | 第10-12页 |
·太阳能电池的工作原理 | 第10-12页 |
·太阳能电池的构造 | 第12页 |
·太阳能电池的种类 | 第12-13页 |
·太阳能电池的发展进程 | 第13-16页 |
·第一代太阳能电池 | 第13-14页 |
·第二代太阳能电池 | 第14页 |
·第三代太阳能电池 | 第14-16页 |
2 太阳能电池反向击穿机制的研究背景 | 第16-26页 |
·击穿机制概述 | 第17-20页 |
·击穿机制研究 | 第20-26页 |
·早期击穿 | 第20-21页 |
·缺陷诱导击穿 | 第21-24页 |
·雪崩击穿 | 第24-26页 |
3 实验设备及表征方法 | 第26-33页 |
·电致发光图像(EL image) | 第26-27页 |
·变温I-V测试系统 | 第27-29页 |
·开尔文探针测试系统 | 第29-33页 |
·表面光伏发展历史 | 第29-30页 |
·表面光伏基本理论 | 第30-33页 |
4 数据分析与讨论 | 第33-42页 |
·多晶硅太阳能电池击穿研究 | 第33-39页 |
·击穿位置及类型的判定 | 第34-36页 |
·暗态J-V-T特性 | 第36-38页 |
·表面光伏测量 | 第38-39页 |
·单晶硅太阳能电致发光研究 | 第39-42页 |
结论 | 第42-44页 |
参考文献 | 第44-48页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第48-49页 |
致谢 | 第49-50页 |