| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-32页 |
| ·集成电路中的互连与互连材料 | 第11-19页 |
| ·集成电路概述 | 第11-12页 |
| ·互连的定义 | 第12-13页 |
| ·集成电路金属互连材料 | 第13-15页 |
| ·Cu互连材料的优势与存在的问题 | 第15-18页 |
| ·Cu互连的发展状况 | 第18-19页 |
| ·扩散阻挡膜 | 第19-25页 |
| ·扩散阻挡膜的定义及性能要求 | 第19-20页 |
| ·阻挡层材料的分类 | 第20-21页 |
| ·阻挡层材料的发展现状 | 第21-25页 |
| ·阻挡层制备工艺 | 第25-29页 |
| ·物理气相沉积 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射 | 第27-29页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第29-32页 |
| 第2章 阻挡膜的制备及表征方法 | 第32-42页 |
| ·实验材料及仪器 | 第32-34页 |
| ·实验材料 | 第32页 |
| ·磁控溅射设备 | 第32-33页 |
| ·磁控溅射设备的操作过程 | 第33-34页 |
| ·Zr基阻挡膜的制备过程 | 第34-35页 |
| ·基片的清洗 | 第34页 |
| ·Cu/barrier/Si体系的制备工艺 | 第34-35页 |
| ·真空退火处理 | 第35页 |
| ·薄膜的表征 | 第35-41页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第35-36页 |
| ·薄膜的表面分析 | 第36-38页 |
| ·薄膜的电学性能分析 | 第38-39页 |
| ·薄膜的厚度分析 | 第39-40页 |
| ·扩散阻挡层失效特征 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 ZrN单层及ZrN/Zr/ZrN多层扩散阻挡层的阻挡性能 | 第42-68页 |
| ·ZrN阻挡层的工艺优化 | 第42-54页 |
| ·工艺参数设计及实验过程 | 第42-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-54页 |
| ·ZrN/Zr/ZrN阻挡层的设计及阻挡性能分析 | 第54-64页 |
| ·设计思路及实验过程 | 第54-56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-64页 |
| ·扩散阻挡膜的失效机制分析 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第4章 Zr嵌入层在TaN扩散阻挡层中的应用 | 第68-76页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·TaN/Zr双层结构扩散阻挡层 | 第68-74页 |
| ·实验方案设计 | 第68-69页 |
| ·实验结果与讨论 | 第69-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 结论 | 第76-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |