| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-34页 |
| 第一节 以香豆素、蒽和纳米晶为荧光团的荧光传感器研究 | 第9-20页 |
| ·连有香豆素荧光团的荧光传感器研究进展 | 第9-12页 |
| ·带有蒽荧光团的荧光传感器 | 第12-18页 |
| ·纳米晶荧光分子传感器 | 第18-20页 |
| 第二节 荧光传感器的基本原理和理论 | 第20-24页 |
| ·光诱导电子转移体系 | 第20-22页 |
| ·荧光共振能量转移(FRET)的基本原理 | 第22-23页 |
| ·荧光分子的平均寿命 | 第23页 |
| ·荧光量子产率(φ_F) | 第23-24页 |
| 第三节 本论文的选题思路 | 第24-27页 |
| 参考文献: | 第27-34页 |
| 第二章 用香豆素修饰的联吡啶铼化合物的合成、表征及其荧光性质的研究 | 第34-64页 |
| 第一节 引言 | 第34-35页 |
| 第二节 实验部分 | 第35-45页 |
| ·香豆素衍生物的合成路线 | 第35页 |
| ·实验试剂 | 第35页 |
| ·测试仪器及测量方法 | 第35-36页 |
| ·离子结合稳定常数的测定 | 第36-37页 |
| ·香豆素修饰的联吡啶铼化合物的合成方法 | 第37-44页 |
| ·香豆素修饰的联吡啶铼化合物与金属离子结合 | 第44-45页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第45-58页 |
| ·合成与性质 | 第45页 |
| ·化合物的晶体结构 | 第45-48页 |
| ·光物理性质 | 第48-49页 |
| ·紫外-可见吸收光谱的研究 | 第49-52页 |
| ·荧光光谱的研究 | 第52-55页 |
| ·核磁共振的研究 | 第55-58页 |
| 第四节 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 第三章 含有冠醚的蒽衍生物与金纳米粒子的复合及荧光性质的研究 | 第64-89页 |
| 第一节 引言 | 第64-65页 |
| 第二节 含有冠醚的蒽化合物的合成 | 第65-69页 |
| ·合成路线 | 第65页 |
| ·实验部分 | 第65-69页 |
| 第三节 Au纳米粒子复合物的制备 | 第69-73页 |
| ·实验试剂 | 第69页 |
| ·测试仪器 | 第69-70页 |
| ·金纳米粒子的合成与表征 | 第70-72页 |
| ·含有冠醚的蒽化合物与金纳米粒子复合物的制备 | 第72-73页 |
| 第四节 结果与讨论 | 第73-86页 |
| ·AnCAD的光谱和结构性质 | 第73-74页 |
| ·AnCAD的光物理性质 | 第74-79页 |
| ·Au-CD的表征 | 第79-81页 |
| ·Au-CD与AnCAD复合物表征 | 第81-86页 |
| 第五节 本章小结 | 第86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第四章 蒽的衍生物与纳米晶的复合及其荧光性质的研究 | 第89-113页 |
| 第一节 引言 | 第89页 |
| 第二节 蒽的衍生物的合成 | 第89-93页 |
| ·合成路线 | 第89-90页 |
| ·实验部分 | 第90-93页 |
| 第三节 半导体纳米晶的制备 | 第93-94页 |
| ·实验试剂 | 第93页 |
| ·测试仪器 | 第93页 |
| ·CdTe纳米晶的制备 | 第93-94页 |
| 第四节 蒽的衍生物与半导体纳米晶复合物 | 第94-95页 |
| ·测试仪器 | 第94页 |
| ·CdTe纳米晶与蒽化合物复合物的制备 | 第94-95页 |
| 第五节 结果与讨论 | 第95-106页 |
| ·AnNSH的光物理性质 | 第95-96页 |
| ·AnNSH与O-CdTe纳米晶混合体系的光物理研究 | 第96页 |
| ·酸对AnNSH溶液的影响 | 第96-99页 |
| ·巯基丙酸对AnNSH与纳米晶复合体系的影响 | 第99-100页 |
| ·不同的蒽衍生物与纳米晶复合 | 第100-103页 |
| ·纳米晶的尺寸对体系能量转移的影响 | 第103-104页 |
| ·寿命的测量 | 第104-106页 |
| 第六节 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-113页 |
| 第五章 结论 | 第113-115页 |
| 作者简历 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 摘要 | 第118-120页 |
| Abstract | 第120-122页 |
