| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·GeO_2纳米结构材料的研究进展 | 第9-15页 |
| ·GeO_2纳米材料的制备 | 第9-15页 |
| ·GeO_2纳米结构的性质研究 | 第15页 |
| ·Ga_2O_3纳米结构的研究进展 | 第15-19页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米结构的制备研究 | 第15-19页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米结构的性质研究 | 第19页 |
| ·本课题的提出及其意义 | 第19-20页 |
| ·本论文研究路线的设计及其研究内容 | 第20-23页 |
| ·本论文的研究路线 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 GeO_2纳米线阵列的合成和发光性质及其图案化 | 第23-37页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·实验部分 | 第24-25页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第24页 |
| ·GeO_2纳米线阵列的制备 | 第24页 |
| ·产物的表征 | 第24-25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-35页 |
| ·SEM和EDS分析 | 第25页 |
| ·XRD和Raman分析 | 第25-28页 |
| ·TEM分析 | 第28-29页 |
| ·GeO_2纳米线阵列的生长机理研究 | 第29-32页 |
| ·GeO_2纳米线阵列的光致发光性能研究 | 第32-34页 |
| ·图案化GeO_2纳米阵列的制备 | 第34-35页 |
| ·结论 | 第35-37页 |
| 第3章 片状GeO_2纳米线网络结构的合成和发光性质 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验部分 | 第37-39页 |
| ·实验仪器及主要试剂 | 第37-38页 |
| ·片状GeO_2纳米线网络的制备 | 第38页 |
| ·产物的表征 | 第38-39页 |
| ·实验结果与讨论 | 第39-45页 |
| ·SEM和EDS分析 | 第39-40页 |
| ·XRD和Raman分析 | 第40-42页 |
| ·生长机理分析 | 第42-43页 |
| ·光致发光 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第45-47页 |
| 第4章 单晶β-Ga_2O_3微米带的原位合成及光致发光 | 第47-59页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验部分 | 第48-49页 |
| ·实验仪器及主要试剂 | 第48页 |
| ·单晶β-Ga_2O_3微米带的制备 | 第48页 |
| ·产物的表征 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-57页 |
| ·SEM分析 | 第49页 |
| ·XRD分析和Raman分析 | 第49-52页 |
| ·反应机理讨论 | 第52-56页 |
| ·β-Ga_2O_3微米带的光致发光特性 | 第56-57页 |
| ·结论 | 第57-59页 |
| 第5章 单晶六边形Ga_2O_3纳米片的合成及其生长机理和光催化特性的研究 | 第59-75页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·实验部分 | 第59-61页 |
| ·实验仪器及主要试剂 | 第59-60页 |
| ·规则六边形β-Ga_2O_3纳米片的制备 | 第60页 |
| ·产物的表征 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-73页 |
| ·SEM分析 | 第61-63页 |
| ·XRD和Raman分析 | 第63-64页 |
| ·TEM分析 | 第64-65页 |
| ·反应机理讨论 | 第65-69页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米片的发光特性 | 第69-71页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米片的光催化特性 | 第71-73页 |
| ·结论 | 第73-75页 |
| 第6章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第87页 |
