基于纳米交叉结构的阻变存储阵列与寻址部件研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第11-12页 |
| ·课题的相关研究现状 | 第12-14页 |
| ·论文的主要工作与创新 | 第14页 |
| ·论文的结构 | 第14-16页 |
| 第二章 纳米交叉结构存储与逻辑器件概述 | 第16-30页 |
| ·电阻双稳态存储单元研究 | 第16-20页 |
| ·电阻双稳态的定义与读写机制 | 第16页 |
| ·电阻双稳态存储单元的性能指标 | 第16-17页 |
| ·基于有机分子的电阻双稳态器件研究 | 第17-18页 |
| ·基于过渡金属氧化物的电阻双稳态器件研究 | 第18-19页 |
| ·基于非晶硅的电阻双稳态器件研究 | 第19-20页 |
| ·二维纳米线阵列的集成技术 | 第20-24页 |
| ·微流引导组装 | 第20页 |
| ·LB 膜组装 | 第20-21页 |
| ·嵌段共聚物的自组装生长 | 第21-22页 |
| ·SNAP 加工 | 第22-23页 |
| ·纳米压印 | 第23-24页 |
| ·纳米交叉结构存储阵列的研究 | 第24-26页 |
| ·基于轮烷有机分子的纳米交叉结构存储阵列 | 第24-25页 |
| ·碳纳米管纳米交叉结构存储阵列 | 第25-26页 |
| ·基于非晶硅的纳米交叉结构存储阵列 | 第26页 |
| ·纳米交叉结构逻辑器件的研究 | 第26-29页 |
| ·纳米交叉结构PN 结与场效应管 | 第26-27页 |
| ·基于纳米交叉结构的分配器 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 纳米交叉结构存储阵列的制备与分析 | 第30-45页 |
| ·纳米交叉结构存储单元的制备与测试 | 第30-34页 |
| ·存储单元的结构设计 | 第30-31页 |
| ·存储单元的制备 | 第31-33页 |
| ·存储单元的读写测试 | 第33-34页 |
| ·纳米交叉结构存储阵列的集成方法研究 | 第34-38页 |
| ·基于光刻套刻的存储阵列集成方法 | 第34-37页 |
| ·自对准方法 | 第37-38页 |
| ·纳米交叉结构存储阵列的工作模式 | 第38-44页 |
| ·存储阵列的读操作 | 第38-43页 |
| ·存储阵列的写操作 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 纳米交叉结构多路复用器的设计与分析 | 第45-61页 |
| ·纳米交叉结构多路复用器的设计 | 第45-48页 |
| ·纳米器件寻址的瓶颈 | 第45-46页 |
| ·基于纳米交叉结构的多路复用器设计 | 第46-48页 |
| ·纳米交叉结构多路复用器的性能分析 | 第48-53页 |
| ·纳米线场效应管的器件模型 | 第48-49页 |
| ·纳米多路复用器的静态输出能力分析 | 第49-51页 |
| ·按字节输出的纳米多路复用器 | 第51-53页 |
| ·纳米交叉结构多路复用器的容错方案设计 | 第53-60页 |
| ·纳米交叉结构的故障分析 | 第53-54页 |
| ·纳米交叉结构的冗余纳米线容错方案设计 | 第54-57页 |
| ·冗余纳米线容错方案的蒙特卡洛模拟与分析 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-62页 |
| ·全文工作总结 | 第61页 |
| ·未来工作展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第67页 |
