摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-11页 |
第一章 绪论 | 第11-41页 |
·有机半导体 | 第11-13页 |
·有机半导体的能带结构 | 第11-12页 |
·有机半导体的光电效应与异质结 | 第12-13页 |
·三苯胺类空穴传导材料 | 第13-16页 |
·酞菁类与苝酰亚胺类衍生物在光电功能器件中的应用 | 第16-21页 |
·酞菁类衍生物在光电功能器件中的应用 | 第16-18页 |
·苝酰亚胺类衍生物在光电功能器件中的应用 | 第18-21页 |
·电沉积制备有机半导体光电功能薄膜 | 第21-27页 |
·有机半导体光电功能薄膜的制备方法 | 第21-22页 |
·电沉积制备有机半导体薄膜的研究进展 | 第22-27页 |
·有机半导体薄膜的表面光电压(SPV)性质 | 第27-32页 |
·有机太阳能电池 | 第27-29页 |
·有机半导体薄膜的SPV性质 | 第29-32页 |
·论文选题思路、研究内容和研究意义 | 第32-34页 |
参考文献 | 第34-41页 |
第二章 4,7-二(4-三苯胺基)-2,1,3-苯并噻二唑(TBT)的合成与纳米结构薄膜的制备 | 第41-62页 |
·实验部分 | 第41-45页 |
·实验试剂及仪器 | 第41-43页 |
·实验方法 | 第43-45页 |
·结果与讨论 | 第45-57页 |
·TBT在溶液中的吸收光谱和电化学行为 | 第45-46页 |
·TBT的质子化反应 | 第46-49页 |
·TBT薄膜的制备与影响因素 | 第49-57页 |
·TBT薄膜形成机理 | 第57页 |
·本章小结 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |
第三章 质子化-电沉积法制备形貌可控的酞菁铜(CuPc)薄膜 | 第62-81页 |
·实验部分 | 第63-64页 |
·实验试剂及仪器 | 第63页 |
·实验方法 | 第63-64页 |
·结果与讨论 | 第64-77页 |
·CuPc的沉积电压与薄膜组分的确定 | 第64-65页 |
·CuPc薄膜形貌的影响因素 | 第65-75页 |
·CuPc超长纳米线的形成过程 | 第75-77页 |
·本章小结 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-81页 |
第四章 TBT:CuPc复合薄膜的制备及能量/电荷转移研究 | 第81-105页 |
·实验部分 | 第82-84页 |
·实验试剂及仪器 | 第82页 |
·实验方法 | 第82-84页 |
·结果与讨论 | 第84-99页 |
·共电沉积前体溶液中的质子化反应 | 第84-85页 |
·复合薄膜形貌调控 | 第85-90页 |
·复合薄膜的吸收/发射光谱 | 第90-93页 |
·复合薄膜中的能量转移 | 第93-94页 |
·复合薄膜中的电荷转移 | 第94-96页 |
·复合薄膜的SPV性质 | 第96-99页 |
·本章小结 | 第99-101页 |
参考文献 | 第101-105页 |
第五章 苝酰亚胺(PDI)衍生物薄膜的制备 | 第105-154页 |
·实验部分 | 第106-108页 |
·实验试剂及仪器 | 第106-107页 |
·实验方法 | 第107-108页 |
·结果与讨论 | 第108-147页 |
·PDI-32 在含HZH的DMF体系中的相关性质 | 第108-119页 |
·PDI-32 与PDI-123 的AED薄膜的研究 | 第119-125页 |
·PDI-32 薄膜形貌的影响因素 | 第125-134页 |
·PDI-123 薄膜形貌的影响因素 | 第134-139页 |
·PDI-32:PDI-123 复合薄膜的制备及性质研究 | 第139-147页 |
·本章小结 | 第147-149页 |
参考文献 | 第149-154页 |
第六章 逐层电沉积法制备双层异质结薄膜及薄膜的表面光电压(SPV)性质 | 第154-180页 |
·实验部分 | 第155-156页 |
·实验试剂及仪器 | 第155页 |
·实验方法 | 第155-156页 |
·结果与讨论 | 第156-177页 |
·TBT、CuPc、PDI-32 及PDI-123 的能级匹配与吸收互补性质 | 第156-158页 |
·双层薄膜的形貌 | 第158-160页 |
·双层膜的光吸收及SPV性质 | 第160-177页 |
·本章小结 | 第177-178页 |
参考文献 | 第178-180页 |
第七章 全文结论与研究展望 | 第180-183页 |
·全文结论 | 第180-182页 |
·研究展望 | 第182-183页 |
附录 | 第183-185页 |
致谢 | 第185-186页 |
攻读学位期间已发表的学术论文及申请的专利 | 第186-188页 |