| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第1章 引言 | 第17-38页 |
| 1.1 加速器真空室结构材料表面处理方法研究现状 | 第20-23页 |
| 1.1.1 加速器真空室表面处理方式 | 第20-22页 |
| 1.1.2 加速器真空室相关材料的表征手段 | 第22-23页 |
| 1.2 非蒸散型吸气剂发展现状 | 第23-27页 |
| 1.2.1 NEG研究历程 | 第23-25页 |
| 1.2.2 吸气剂的主要作用 | 第25页 |
| 1.2.3 NEG吸气机理 | 第25页 |
| 1.2.4 NEG激活与再生 | 第25-26页 |
| 1.2.5 超高真空的获得 | 第26-27页 |
| 1.3 二次电子发射简介 | 第27-34页 |
| 1.3.1 二次电子研究背景 | 第31-32页 |
| 1.3.2 二次电子国际研究现状 | 第32-33页 |
| 1.3.3 二次电子国内研究现状 | 第33-34页 |
| 1.4 论文的研究意义和主要内容 | 第34-36页 |
| 1.4.1 论文的研究意义 | 第34-35页 |
| 1.4.2 论文的主要内容 | 第35-36页 |
| 1.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第2章 材料二次电子特性参数测试仪设计、调试和误差分析 | 第38-70页 |
| 2.1 二次电子测试原理 | 第38-39页 |
| 2.2 二次电子测试方法 | 第39-42页 |
| 2.2.1 二次电子测试发展史 | 第39-41页 |
| 2.2.2 本论文所采用的SEY测试方法 | 第41-42页 |
| 2.3 二次电子特性参数测试仪的设计 | 第42-52页 |
| 2.3.1 真空系统 | 第43-48页 |
| 2.3.1.1 主测试腔体 | 第44页 |
| 2.3.1.2 样品预处理室 | 第44-45页 |
| 2.3.1.3 磁力样品传送杆 | 第45页 |
| 2.3.1.4 涡轮分子泵 | 第45页 |
| 2.3.1.5 溅射离子泵 | 第45-46页 |
| 2.3.1.6 超高真空阀门 | 第46页 |
| 2.3.1.7 真空计 | 第46-47页 |
| 2.3.1.8 残余气体分析仪 | 第47-48页 |
| 2.3.2 测试系统 | 第48-51页 |
| 2.3.2.1 电子枪 | 第48-49页 |
| 2.3.2.2 离子枪 | 第49页 |
| 2.3.2.3 样品架和三维调整机构 | 第49-51页 |
| 2.3.3 控制系统和数据采集处理系统 | 第51-52页 |
| 2.3.3.1 电子枪控制和数据采集系统 | 第51页 |
| 2.3.3.2 二次电子发射电流采集系统 | 第51-52页 |
| 2.4 二次电子特性参数测试仪的调试与安装 | 第52-54页 |
| 2.4.1 电子枪的操作及使用注意事项 | 第52-54页 |
| 2.5 升级后二次电子特性参数测试仪的新特点 | 第54-57页 |
| 2.5.1 升级前后的测试方法对比 | 第54-56页 |
| 2.5.2 残余气体分析仪 | 第56页 |
| 2.5.3 真空腔体升级 | 第56页 |
| 2.5.4 样品架升级 | 第56-57页 |
| 2.6 二次电子产额测试结果误差分析和对比 | 第57-68页 |
| 2.6.1 SEY测试结果误差分析 | 第57-62页 |
| 2.6.2 不同实验室测试结果对比 | 第62-67页 |
| 2.6.2.1 SLAC和NSRL无氧铜二次电子发射特性对比 | 第62-63页 |
| 2.6.2.2 STFC和NSRL无氧铜二次电子发射特性对比 | 第63-65页 |
| 2.6.2.3 CERN和NSRL无氧铜二次电子发射特性对比 | 第65-67页 |
| 2.6.3 不同测试方法下二次电子产额测试结果对比 | 第67页 |
| 2.6.4 二次电子产额测试结果误差分析和对比小结 | 第67-68页 |
| 2.7 本章小结与展望 | 第68-70页 |
| 第3章 TiZrV/Pd薄膜制备工艺及其性能研究 | 第70-117页 |
| 3.1 研究背景 | 第71-74页 |
| 3.2 TiZrV/Pd薄膜的制备与表征 | 第74-85页 |
| 3.2.1 TiZrV-Pd薄膜的制备方法和镀膜装置介绍 | 第74-76页 |
| 3.2.1.1 镀膜前样品的准备 | 第75-76页 |
| 3.2.2 TiZrV/Pd薄膜的表征 | 第76-85页 |
| 3.2.2.1 TiZrV/Pd薄膜晶粒尺寸表征 | 第77-79页 |
| 3.2.2.2 TiZrV/Pd薄膜的表面形貌和断面形貌 | 第79-82页 |
| 3.2.2.3 TiZrV/Pd薄膜成分表征 | 第82-84页 |
| 3.2.2.4 TiZrV/Pd薄膜的表征小结 | 第84-85页 |
| 3.3 TiZrV/Pd薄膜的镀膜速率研究 | 第85-98页 |
| 3.3.1 工作压强对镀膜速率的影响 | 第86页 |
| 3.3.2 气体流量对镀膜速率的影响 | 第86-87页 |
| 3.3.3 磁感应强度对镀膜速率的影响 | 第87-88页 |
| 3.3.4 放电电流对镀膜速率的影响 | 第88-89页 |
| 3.3.5 沉积速率和溅射深度的理论计算 | 第89-92页 |
| 3.3.6 TiZrV/Pd薄膜镀膜过程中的放电特性 | 第92-98页 |
| 3.3.6.1 TiZrV薄膜的镀膜放电参数 | 第92-95页 |
| 3.3.6.2 Pd薄膜的镀膜放电参数 | 第95-97页 |
| 3.3.6.3 TiZrV/Pd薄膜镀膜过程中的放电特性小结 | 第97-98页 |
| 3.4 TiZrV/Pd薄膜的二次电子产额特性研究 | 第98-109页 |
| 3.4.1 测试装置简介 | 第98页 |
| 3.4.2 样品信息简介 | 第98-102页 |
| 3.4.3 TiZrV-Pd薄膜的二次电子测试结果 | 第102-104页 |
| 3.4.4 TiZrV薄膜的二次电子测试结果 | 第104-106页 |
| 3.4.5 Pd薄膜的二次电子测试结果 | 第106-109页 |
| 3.4.6 TiZrV/Pd薄膜的二次电子产额特性小结 | 第109页 |
| 3.5 TiZrV/Pd薄膜的二次电子模拟结果 | 第109-114页 |
| 3.5.1 CASINO软件简介 | 第109-112页 |
| 3.5.2 TiZrV-Pd薄膜中二次电子运动轨迹模拟结果及分析 | 第112-114页 |
| 3.6 本章小结与展望 | 第114-117页 |
| 第4章 陶瓷管道磁控溅射镀TiN薄膜实验研究 | 第117-133页 |
| 4.1 TiN薄膜简介 | 第118-129页 |
| 4.1.1 镀膜装置和方法 | 第118-121页 |
| 4.1.2 阴极Ti丝和Ti板的设计与优化 | 第121-126页 |
| 4.1.2.1 阴极Ti丝的设计与优化 | 第121-122页 |
| 4.1.2.2 阴极Ti板的设计与优化 | 第122-126页 |
| 4.1.3 TiN薄膜镀膜实验过程 | 第126-129页 |
| 4.1.3.1 直流溅射镀膜 | 第126-127页 |
| 4.1.3.2 射频溅射镀膜 | 第127页 |
| 4.1.3.3 直流磁控溅射镀膜 | 第127-129页 |
| 4.2 TiN薄膜二次电子测试实验结果与分析 | 第129-131页 |
| 4.2.1 TiN薄膜的表面形貌表征 | 第129-130页 |
| 4.2.2 TiN薄膜的二次电子发射特性表征 | 第130-131页 |
| 4.3 本章小结与展望 | 第131-133页 |
| 第5章 石墨烯薄膜的二次电子产额研究 | 第133-145页 |
| 5.1 NSRL石墨烯薄膜性能研究 | 第133-136页 |
| 5.1.1 NSRL石墨烯拉曼图谱表征 | 第133-134页 |
| 5.1.2 NSRL石墨烯表面成分表征 | 第134-135页 |
| 5.1.3 NSRL石墨烯二次电子发射特性 | 第135-136页 |
| 5.2 石墨烯二次电子产额测试结果对比与相关特性分析 | 第136-144页 |
| 5.2.1 NSRL和DL二次电子产额测试装置对比和测试方法比较 | 第136-139页 |
| 5.2.1.1 DL测试装置和样品介绍 | 第136-137页 |
| 5.2.1.2 二次电子产额测试方法对比 | 第137-138页 |
| 5.2.1.3 二次电子产额测试参数对比 | 第138-139页 |
| 5.2.2 DL实验室石墨烯测试结果与讨论 | 第139-144页 |
| 5.2.2.1 DL石墨烯拉曼表征 | 第139-140页 |
| 5.2.2.2 DL实验室石墨烯XPS测试结果及分析 | 第140-143页 |
| 5.2.2.3 DL石墨烯二次电子发射特性 | 第143-144页 |
| 5.3 本章小结与展望 | 第144-145页 |
| 第6章 激光刻蚀材料表面二次电子发射特性及相关机理研究 | 第145-152页 |
| 6.1 激光刻蚀材料表面技术发展现状 | 第145-147页 |
| 6.2 激光刻蚀材料表面技术的研究意义 | 第147-148页 |
| 6.3 本章的研究目的 | 第148页 |
| 6.4 暴露大气时间对激光刻蚀材料二次电子产额及表面成分的影响 | 第148-150页 |
| 6.4.1 激光刻蚀参数 | 第148页 |
| 6.4.2 激光刻蚀无氧铜样品的二次电子发射特性 | 第148-149页 |
| 6.4.3 激光刻蚀无氧铜样品的表面成分分析 | 第149-150页 |
| 6.5 本章小结与展望 | 第150-152页 |
| 第7章 总结与展望 | 第152-157页 |
| 致谢 | 第157-159页 |
| 参考文献 | 第159-172页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第172-174页 |
