| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·激光晶体材料发展 | 第8-9页 |
| ·激光晶体简介 | 第9-12页 |
| ·概述 | 第9页 |
| ·基质晶体及激光晶体分类 | 第9-12页 |
| ·稀土离子转换发光材料研究进展 | 第12-15页 |
| ·激光晶体BaY_2F_8在军事上的应用 | 第15-16页 |
| ·激光对潜通信和水下探测 | 第15页 |
| ·人眼安全激光雷达 | 第15页 |
| ·新型隐身材料 | 第15-16页 |
| ·本文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 稀土光谱理论 | 第18-36页 |
| ·概述 | 第18页 |
| ·Judd-Ofelt理论 | 第18-24页 |
| ·Judd-Ofelt理论计算 | 第20-21页 |
| ·三参量J-O公式应用 | 第21-24页 |
| ·稀土上转换发光基本理论 | 第24-32页 |
| ·稀土离子发光特性 | 第24-25页 |
| ·上转换发光原理 | 第25-30页 |
| ·其它因素对上转换发光强度的影响 | 第30-32页 |
| ·转移函数法分析上转换发光过程 | 第32-36页 |
| 第三章 晶体生长概论 | 第36-53页 |
| ·晶体相变驱动力 | 第37-39页 |
| ·晶体生长理论模型 | 第39-42页 |
| ·完整光滑界面理论模型 | 第39页 |
| ·非完整光滑界面理论模型 | 第39-40页 |
| ·粗糙界面理论模型 | 第40页 |
| ·多层界面理论模型 | 第40页 |
| ·卡恩的生长动力学统一理论 | 第40-42页 |
| ·晶体生长方法 | 第42-53页 |
| ·溶液法生长晶体 | 第42-43页 |
| ·水热法生长晶体 | 第43页 |
| ·助溶剂法生长晶体 | 第43-44页 |
| ·熔体中生长晶体 | 第44-53页 |
| ·提拉法 | 第45-48页 |
| ·温度梯度法 | 第48-51页 |
| ·区熔法 | 第51页 |
| ·焰熔法 | 第51-53页 |
| 第四章 BaY_2F_8晶体的结晶习性 | 第53-68页 |
| ·BaY_2F_8晶体的结构与性质 | 第53-55页 |
| ·BaY_2F_8晶体自然冷却下自发结晶习性 | 第55-58页 |
| ·结晶理论依据 | 第55-56页 |
| ·熔料与结晶 | 第56页 |
| ·自发结晶形貌的描述 | 第56-58页 |
| ·BaY_2F_8晶体的自发结晶习性 | 第58-67页 |
| ·晶体生长形态理论 | 第58-60页 |
| ·鲍林法则 | 第58页 |
| ·PBC理论 | 第58-59页 |
| ·配位多面体生长基元理论 | 第59-60页 |
| ·BaY_2F_8 晶体的结构特点 | 第60-62页 |
| ·晶形分析 | 第62-67页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| 第五章 BaY_2F_8晶体的生长 | 第68-88页 |
| ·提拉法生长BaY_2F_8晶体 | 第68-72页 |
| ·晶体生长相图 | 第68页 |
| ·生长装置 | 第68页 |
| ·晶体生长参数 | 第68-70页 |
| ·温场、转速和拉速对晶体生长的影响 | 第70-72页 |
| ·组分过冷 | 第72-76页 |
| ·提拉法生长BaY_2F_8晶体组分过冷产生的机理 | 第72-75页 |
| ·克服组分过冷的措施 | 第75-76页 |
| ·温度梯度法生长BaY_2F_8晶体 | 第76-87页 |
| ·提拉法生长BaY_2F_8晶体的困难 | 第76-77页 |
| ·利用温度梯度法生长BaY_2F_8晶体的实验依据 | 第77页 |
| ·温度梯度法生长装置 | 第77-79页 |
| ·温度梯度的选择 | 第79-81页 |
| ·晶体生长 | 第81-87页 |
| ·结论 | 第87-88页 |
| 第六章 上转换激光晶体Er:BaY_2F_8的光谱分析与缺陷研究 | 第88-100页 |
| ·实验与测量 | 第88-89页 |
| ·结果与讨论 | 第89-95页 |
| ·J-O理论与晶体光谱计算 | 第91-94页 |
| ·讨论分析 | 第94-95页 |
| ·晶体开裂研究 | 第95-100页 |
| ·温场对晶体开裂的影响 | 第96-97页 |
| ·生长速率对晶体开裂的影响 | 第97页 |
| ·热膨胀对晶体开裂的影响 | 第97-99页 |
| ·其它因素对晶体开裂的影响 | 第99-100页 |
| 第七章 结论 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-109页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
