Ⅲ-Ⅴ族和Ⅳ族元素合金的层生长模型的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-17页 |
| ·薄膜生长概述 | 第9-13页 |
| ·外延生长模式 | 第10-11页 |
| ·外延生长 | 第11-13页 |
| ·重复 SiC 有序结构的生长过程 | 第13-15页 |
| ·SiCAlN 有序结构的研究 | 第15-17页 |
| 第2章 计算方法 | 第17-23页 |
| ·第一原理计算 | 第17-21页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-20页 |
| ·赝势方法 | 第20-21页 |
| ·有序结构的寻找 | 第21-22页 |
| ·集团展开方法 | 第22-23页 |
| 第3章 SiC 的有序结构 | 第23-30页 |
| ·研究背景简介 | 第23-24页 |
| ·计算结果 | 第24-29页 |
| ·一层 Si-C 双层自由调整层生长方向的生长 | 第25-26页 |
| ·两层 Si-C 双层自由调整层生长方向的生长 | 第26-27页 |
| ·三层 Si-C 双层自由调整层生长方向的生长 | 第27页 |
| ·四层 Si-C 双层自由调整层生长方向的生长 | 第27-28页 |
| ·五层 Si-C 双层自由调整层生长方向的生长 | 第28-29页 |
| ·结果讨论 | 第29-30页 |
| 第4章 SiCAlN 的层生长有序结构 | 第30-44页 |
| ·有序结构的层状生长模拟 | 第30-34页 |
| ·集团展开 | 第30-32页 |
| ·SiC 衬底上 AlN 的生长 | 第32-34页 |
| ·层生长模型中参数的确定 | 第34页 |
| ·计算结果以及讨论 | 第34-42页 |
| ·化学势每单层改变时的相图 | 第37-38页 |
| ·化学势在每两层改变时的相图 | 第38-39页 |
| ·化学势在每三层改变时的相图 | 第39-40页 |
| ·化学势在每四层改变时的相图 | 第40-41页 |
| ·化学势在每五层改变时的相图 | 第41页 |
| ·化学势在每六层改变时的相图 | 第41-42页 |
| ·电子性质的一些计算 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第5章 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第50-51页 |
