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氧化铪/氮氧化铪栅介质金属氧化物薄膜晶体管的研制

摘要第1-8页
Abstract第8-11页
引言第11-13页
第一章 绪论第13-31页
   ·用于平板显示的薄膜晶体管发展历史第13-17页
   ·金属氧化物薄膜晶体管的研究进展第17-28页
   ·薄膜晶体管需要解决的问题第28-29页
   ·本论文的研究内容及其意义第29-31页
第二章 氮化铪源漏电极的薄膜晶体管研究第31-59页
   ·金属和半导体的功函数第31-36页
   ·氮化铪薄膜的制备和性能表征第36-43页
   ·氮化铪薄膜功函数的测定第43-52页
   ·氮化铪电极的薄膜晶体管制备第52-58页
   ·本章小结第58-59页
第三章 脉冲激光沉积法制备IGZO薄膜晶体管第59-82页
   ·薄膜晶体管的基本特性第59-65页
   ·薄膜晶体管的基本结构第65-66页
   ·脉冲激光沉积法制备非晶IGZO薄膜第66-76页
   ·IGZO薄膜晶体管的性能表征第76-81页
   ·本章小结第81-82页
第四章 氧化铪/氮氧化铪栅介质薄膜晶体管的研制第82-103页
   ·氮氧化铪薄膜的光学特性第82-91页
   ·氮氧化铪栅介质的电学性能研究第91-95页
   ·HfO_xN_y/HfO_2/HfO_xN_y栅介质α-IGZO薄膜晶体管的研制第95-102页
   ·本章小结第102-103页
第五章 结论与展望第103-106页
参考文献第106-125页
博士期间发表论文及申请专利第125-128页
致谢第128页

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