摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-11页 |
引言 | 第11-13页 |
第一章 绪论 | 第13-31页 |
·用于平板显示的薄膜晶体管发展历史 | 第13-17页 |
·金属氧化物薄膜晶体管的研究进展 | 第17-28页 |
·薄膜晶体管需要解决的问题 | 第28-29页 |
·本论文的研究内容及其意义 | 第29-31页 |
第二章 氮化铪源漏电极的薄膜晶体管研究 | 第31-59页 |
·金属和半导体的功函数 | 第31-36页 |
·氮化铪薄膜的制备和性能表征 | 第36-43页 |
·氮化铪薄膜功函数的测定 | 第43-52页 |
·氮化铪电极的薄膜晶体管制备 | 第52-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第三章 脉冲激光沉积法制备IGZO薄膜晶体管 | 第59-82页 |
·薄膜晶体管的基本特性 | 第59-65页 |
·薄膜晶体管的基本结构 | 第65-66页 |
·脉冲激光沉积法制备非晶IGZO薄膜 | 第66-76页 |
·IGZO薄膜晶体管的性能表征 | 第76-81页 |
·本章小结 | 第81-82页 |
第四章 氧化铪/氮氧化铪栅介质薄膜晶体管的研制 | 第82-103页 |
·氮氧化铪薄膜的光学特性 | 第82-91页 |
·氮氧化铪栅介质的电学性能研究 | 第91-95页 |
·HfO_xN_y/HfO_2/HfO_xN_y栅介质α-IGZO薄膜晶体管的研制 | 第95-102页 |
·本章小结 | 第102-103页 |
第五章 结论与展望 | 第103-106页 |
参考文献 | 第106-125页 |
博士期间发表论文及申请专利 | 第125-128页 |
致谢 | 第128页 |