| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| 1.1 日盲紫外探测器研究背景 | 第14-19页 |
| 1.1.1 日盲紫外探测器研究概况 | 第14-16页 |
| 1.1.2 基于Ni_xMg_(1-x)O三元薄膜的日盲紫外探测器研究概况 | 第16-19页 |
| 1.2 NiO-MgO三元固溶体系的物性及特点 | 第19-24页 |
| 1.2.1 NiO的结构及性质特点 | 第19-20页 |
| 1.2.2 Ni_xMg_(1-x)O的晶体结构 | 第20-22页 |
| 1.2.3 Ni_xMg_(1-x)O的磁学性能 | 第22-23页 |
| 1.2.4 Ni_xMg_(1-x)O的光电性能 | 第23-24页 |
| 1.3 研究课题的提出 | 第24-27页 |
| 第二章 半导体薄膜制备及分析研究方法 | 第27-52页 |
| 2.1 半导体薄膜的制备方法 | 第27-42页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第27-29页 |
| 2.1.2 分子束外延(MBE) | 第29-30页 |
| 2.1.3 溶胶凝胶法 | 第30-32页 |
| 2.1.3.1 Sol-Gel法的基本原理及特点 | 第31-32页 |
| 2.1.4 原子层沉积 | 第32-33页 |
| 2.1.5 脉冲激光沉积(PLD) | 第33-42页 |
| 2.1.5.1 脉冲激光沉积技术发展历程 | 第33-34页 |
| 2.1.5.2 脉冲激光沉积的一般特征 | 第34页 |
| 2.1.5.3 脉冲激光沉积的物理过程 | 第34-42页 |
| 2.2 半导体薄膜的分析表征及测试技术 | 第42-52页 |
| 2.2.1 原子力显微术(AFM) | 第42-44页 |
| 2.2.2 扫描隧道显微术(STM) | 第44-45页 |
| 2.2.3 反射高能电子衍射(RHEED) | 第45-46页 |
| 2.2.4 透射电镜(TEM) | 第46-48页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱(XPS) | 第48-49页 |
| 2.2.6 电学性能测试 | 第49-50页 |
| 2.2.6.1 霍尔测试 | 第49-50页 |
| 2.2.7 紫外-可见分光光度计 | 第50-52页 |
| 第三章 不同基底温度下脉冲激光沉积Ni_xMg_(1-x)O薄膜表征及光电性能分析 | 第52-64页 |
| 3.1 脉冲激光沉积系统 | 第52-54页 |
| 3.2 实验方法 | 第54-56页 |
| 3.2.1 实验准备 | 第54-55页 |
| 3.2.2 实验参数设置 | 第55-56页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第56-63页 |
| 3.3.1 不同基底温度下沉积Ni_xMg_(1-x)O薄膜的表面形貌分析 | 第56-60页 |
| 3.3.1.1 不同基底温度下沉积薄膜的原子力显微镜(AFM)分析 | 第56-58页 |
| 3.3.1.2 Ni_xMg_(1-x)O薄膜表面微结构的透射电子显微(TEM)分析 | 第58-59页 |
| 3.3.1.3 热处理对脉冲激光沉积Ni_xMg_(1-x)O薄膜表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| 3.3.2 X-射线光电子能谱分析(XPS) | 第60-62页 |
| 3.3.3 UV-Vis光谱分析 | 第62-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 不同激光能量密度下脉冲激光沉积Ni_xMg_(1-x)O薄膜表征及分析 | 第64-71页 |
| 4.1 实验设计 | 第64页 |
| 4.2 实验结果及讨论 | 第64-70页 |
| 4.2.1 不同激光能量密度下制备Ni_xMg_(1-x)O薄膜的表征分析 | 第64-67页 |
| 4.2.1.1 Ni_xMg_(1-x)O薄膜的成分分析及形貌表征 | 第64-66页 |
| 4.2.1.2 不同激光能量密度下沉积Ni_xMg_(1-x)O薄膜的退火效应 | 第66-67页 |
| 4.2.2 UV-Vis光谱分析 | 第67-70页 |
| 4.2.2.1 Ni_xMg_(1-x)O薄膜的紫外吸收特性 | 第67-68页 |
| 4.2.2.2 Ni_xMg_(1-x)O薄膜的光学带隙 | 第68-69页 |
| 4.2.2.3 退火对Ni_xMg_(1-x)O薄膜的光学带隙的影响 | 第69-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 溶胶-凝胶法制备掺锂NiMgO薄膜 | 第71-85页 |
| 5.1 溶胶-凝胶技术简述 | 第71-73页 |
| 5.1.1 溶胶-凝胶法基本概念 | 第71-72页 |
| 5.1.2 溶胶-凝胶技术的特点 | 第72-73页 |
| 5.2 实验方法 | 第73-77页 |
| 5.2.1 实验内容 | 第73页 |
| 5.2.2 实验过程 | 第73-77页 |
| 5.3 实验结果及分析 | 第77-83页 |
| 5.3.1 表面形貌特征及成分分析 | 第77-78页 |
| 5.3.2 Sol-Gel法制备薄膜的粗糙度分析 | 第78-79页 |
| 5.3.3 Sol-Gel法制备薄膜的XRD物相分析 | 第79-80页 |
| 5.3.4 UV-Vis吸收光谱分析 | 第80-82页 |
| 5.3.4.1 掺锂NiMgO薄膜的吸收光谱分析 | 第80-81页 |
| 5.3.4.2 高Mg含量NiMgO薄膜的UV-Vis吸收光谱 | 第81-82页 |
| 5.3.5 XPS分析 | 第82-83页 |
| 5.4 本章小结 | 第83-85页 |
| 第六章 Ni_xMg_(1-x)O薄膜光学带隙的理论分析 | 第85-93页 |
| 6.1 Ni_xMg_(1-x)O薄膜光学带隙影响因素考察 | 第85-86页 |
| 6.1.1 基底温度的影响 | 第85-86页 |
| 6.2 Ni_xMg_(1-x)O薄膜光学带隙特征 | 第86-88页 |
| 6.3 高Mg含量Ni_xMg_(1-x)O薄膜光学带隙异常机制分析 | 第88-90页 |
| 6.4 讨论 | 第90-92页 |
| 6.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 总结与展望 | 第93-95页 |
| 7.1 结论 | 第93-94页 |
| 7.2 本文创新点 | 第94页 |
| 7.3 展望 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-105页 |
| 附录 | 第105页 |
