| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 英文名词缩写 | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| 1.1 引言 | 第15-17页 |
| 1.2 HEMT器件基本结构和工作原理 | 第17-19页 |
| 1.3 HEMT器件应用前景 | 第19-21页 |
| 1.4 研究射频器件热阻的意义 | 第21-22页 |
| 1.5 射频器件热阻的国内外研究现状 | 第22-24页 |
| 1.6 论文的主要内容和创新工作 | 第24-26页 |
| 第二章 射频器件热阻提取方法 | 第26-41页 |
| 2.1 射频器件热阻定义 | 第26-27页 |
| 2.2 传统射频器件热阻提取方法 | 第27-40页 |
| 2.2.1 分段建模法提取HEMT器件热阻 | 第27-34页 |
| 2.2.2 直接提取法提取HEMT器件热阻 | 第34-38页 |
| 2.2.3 直流特性法提取HBT器件热阻 | 第38-40页 |
| 2.3 本章总结 | 第40-41页 |
| 第三章 基于高自热偏置下的GaNHEMT器件热阻提取 | 第41-59页 |
| 3.1 基于高自热偏置下的GaNHEMT器件热阻提取 | 第41-57页 |
| 3.1.1 本文使用的EDA工具 | 第41-42页 |
| 3.1.2 TCAD中射频器件仿真流程 | 第42-44页 |
| 3.1.3 HEMT器件自热仿真模型 | 第44-47页 |
| 3.1.4 TCAD中构建GaNHEMT器件模型 | 第47-51页 |
| 3.1.5 不同温度下的I-V输出曲线 | 第51-56页 |
| 3.1.6 热阻计算结果 | 第56-57页 |
| 3.2 本文热阻提取结果与传统方法结果比较 | 第57-58页 |
| 3.3 本章总结 | 第58-59页 |
| 第四章 GaNHEMT器件优化分析与设计 | 第59-68页 |
| 4.1 影响热阻的器件结构因素分析 | 第59-65页 |
| 4.1.1 衬底厚度对器件热阻的影响 | 第60-62页 |
| 4.1.2 缓冲层厚度对器件热阻的影响 | 第62-63页 |
| 4.1.3 栅宽对器件热阻的影响 | 第63-64页 |
| 4.1.4 栅长对器件热阻的影响 | 第64-65页 |
| 4.2 影响热阻的非器件结构因素分析 | 第65-67页 |
| 4.2.1 偏置电压对器件热阻的影响 | 第65-66页 |
| 4.2.2 耗散功率和环境温度对器件热阻的影响 | 第66-67页 |
| 4.3 本章总结 | 第67-68页 |
| 第五章 EEHEMT非线性模型的热阻嵌入 | 第68-81页 |
| 5.1 微波器件的大信号模型 | 第68-71页 |
| 5.1.1 基于物理的模型 | 第69页 |
| 5.1.2 基于测量的模型 | 第69-70页 |
| 5.1.3 基于经验分析的模型 | 第70-71页 |
| 5.2 常用的GaNHEMT器件的大信号模型 | 第71-76页 |
| 5.3 EEHEMT模型的热阻嵌入 | 第76-79页 |
| 5.4 热阻嵌入结果分析 | 第79-81页 |
| 5.4.1 直流输出特性曲线拟合 | 第79-80页 |
| 5.4.2 S参数曲线拟合 | 第80-81页 |
| 第六章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 6.1 总结 | 第81-82页 |
| 6.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |