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高压下甲硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)的第一性原理研究

内容提要第1-11页
第一章 绪论第11-23页
   ·计算机模拟与材料设计第11-13页
   ·高压物理与计算机模拟第13-15页
   ·高压下富氢体系的计算机模拟第15-20页
     ·富氢材料: IVA族氢化物第15页
     ·富氢材料-储氢材料第15-16页
     ·计算机模拟对高压下IVA族氢化物的研究第16-20页
 参考文献第20-23页
第二章 计算机模拟的理论和方法第23-59页
   ·密度泛函理论第23-33页
     ·Born-Oppenheimer Approximation第23-24页
       ·多粒子系统的哈密顿量第23-24页
       ·Born-Oppenheimer Approximation第24页
     ·Hartree-Fock Approximation第24-26页
     ·密度泛函理论(Density Function Theory)第26-33页
       ·Thomas-Fermi 模型第26-27页
       ·Hohenberg-Kohn定理第27-29页
       ·Kohn-Sham方程第29-30页
       ·关联能泛函表达形式第30-33页
   ·超导电性与电-声子相互作用第33-39页
     ·BCS(Bardeen-Cooper-Schrieffer)理论第33-35页
     ·电-声子相互作用第35-39页
       ·定义和公式第36-37页
       ·电子-声子相互作用矩阵元第37-38页
       ·超软赝势下的电声矩阵元的表达第38-39页
   ·晶体的对称性与红外拉曼光谱第39-55页
     ·群表示和特征标表第40-47页
     ·构造约化特征标Γ第47-49页
     ·红外吸收、拉曼散射的选择定则第49-55页
 参考文献第55-59页
第三章 高压下硅烷实验中奇特的超导电性研究第59-89页
   ·超导与固态氢第59-60页
   ·IVA氢化物与超导第60-62页
   ·高压下硅烷实验中奇特超导电性第62-63页
   ·计算方法第63-64页
   ·实验过程中可能存在的物质第64-70页
   ·样品中可能存在物质的超导电性第70-74页
   ·饱和铂氢化物的超导机制第74-79页
 小结第79-81页
 参考文献第81-89页
第四章 高压下P2_1/m相硅烷奇特的超导电性研究第89-107页
   ·电子和声子结构第89-92页
   ·费米面拓扑转变和超导电性第92-104页
     ·费米面填充常数第92-95页
     ·在100GPa~125GPa之间的电声耦合机制第95-100页
     ·在125GPa~175GPa区间电-声子耦合的机制第100-104页
 小结第104-105页
 参考文献第105-107页
第五章 高压下乙硅烷(Si_2H_6)的超导电性研究第107-138页
   ·引言第107-109页
   ·计算方法第109-111页
   ·热力学稳定性第111-114页
   ·高压下的乙硅烷结构第114-116页
   ·机械稳定性第116-122页
   ·电子和声子结构以及动力学稳定性第122-126页
   ·IR/Raman性质第126-129页
   ·超导电性第129-133页
 小结第133-134页
 参考文献第134-138页
攻博期间发表的学术论文及其他成果第138-139页
致谢第139-141页
中文摘要第141-148页
Abstract第148-152页

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