内容提要 | 第1-11页 |
第一章 绪论 | 第11-23页 |
·计算机模拟与材料设计 | 第11-13页 |
·高压物理与计算机模拟 | 第13-15页 |
·高压下富氢体系的计算机模拟 | 第15-20页 |
·富氢材料: IVA族氢化物 | 第15页 |
·富氢材料-储氢材料 | 第15-16页 |
·计算机模拟对高压下IVA族氢化物的研究 | 第16-20页 |
参考文献 | 第20-23页 |
第二章 计算机模拟的理论和方法 | 第23-59页 |
·密度泛函理论 | 第23-33页 |
·Born-Oppenheimer Approximation | 第23-24页 |
·多粒子系统的哈密顿量 | 第23-24页 |
·Born-Oppenheimer Approximation | 第24页 |
·Hartree-Fock Approximation | 第24-26页 |
·密度泛函理论(Density Function Theory) | 第26-33页 |
·Thomas-Fermi 模型 | 第26-27页 |
·Hohenberg-Kohn定理 | 第27-29页 |
·Kohn-Sham方程 | 第29-30页 |
·关联能泛函表达形式 | 第30-33页 |
·超导电性与电-声子相互作用 | 第33-39页 |
·BCS(Bardeen-Cooper-Schrieffer)理论 | 第33-35页 |
·电-声子相互作用 | 第35-39页 |
·定义和公式 | 第36-37页 |
·电子-声子相互作用矩阵元 | 第37-38页 |
·超软赝势下的电声矩阵元的表达 | 第38-39页 |
·晶体的对称性与红外拉曼光谱 | 第39-55页 |
·群表示和特征标表 | 第40-47页 |
·构造约化特征标Γ | 第47-49页 |
·红外吸收、拉曼散射的选择定则 | 第49-55页 |
参考文献 | 第55-59页 |
第三章 高压下硅烷实验中奇特的超导电性研究 | 第59-89页 |
·超导与固态氢 | 第59-60页 |
·IVA氢化物与超导 | 第60-62页 |
·高压下硅烷实验中奇特超导电性 | 第62-63页 |
·计算方法 | 第63-64页 |
·实验过程中可能存在的物质 | 第64-70页 |
·样品中可能存在物质的超导电性 | 第70-74页 |
·饱和铂氢化物的超导机制 | 第74-79页 |
小结 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-89页 |
第四章 高压下P2_1/m相硅烷奇特的超导电性研究 | 第89-107页 |
·电子和声子结构 | 第89-92页 |
·费米面拓扑转变和超导电性 | 第92-104页 |
·费米面填充常数 | 第92-95页 |
·在100GPa~125GPa之间的电声耦合机制 | 第95-100页 |
·在125GPa~175GPa区间电-声子耦合的机制 | 第100-104页 |
小结 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-107页 |
第五章 高压下乙硅烷(Si_2H_6)的超导电性研究 | 第107-138页 |
·引言 | 第107-109页 |
·计算方法 | 第109-111页 |
·热力学稳定性 | 第111-114页 |
·高压下的乙硅烷结构 | 第114-116页 |
·机械稳定性 | 第116-122页 |
·电子和声子结构以及动力学稳定性 | 第122-126页 |
·IR/Raman性质 | 第126-129页 |
·超导电性 | 第129-133页 |
小结 | 第133-134页 |
参考文献 | 第134-138页 |
攻博期间发表的学术论文及其他成果 | 第138-139页 |
致谢 | 第139-141页 |
中文摘要 | 第141-148页 |
Abstract | 第148-152页 |