| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-11页 |
| 1.3 射频接收前端设计指标 | 第11页 |
| 1.4 主要内容及组织结构 | 第11-13页 |
| 第二章 射频接收机性能指标与结构分类 | 第13-21页 |
| 2.1 接收机的主要性能参数 | 第13-17页 |
| 2.1.1 灵敏度和噪声系数 | 第13-14页 |
| 2.1.2 动态范围和线性度 | 第14-17页 |
| 2.2 射频接收机的主要结构 | 第17-20页 |
| 2.2.1 超外差结构 | 第17-18页 |
| 2.2.2 零中频结构 | 第18-19页 |
| 2.2.3 低中频结构 | 第19页 |
| 2.2.4 三种接收机结构的比较和选择 | 第19-20页 |
| 2.3 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 CMOS低噪声放大器电路分析与设计 | 第21-32页 |
| 3.1 低噪声放大器的性能指标参数 | 第21-22页 |
| 3.1.1 噪声系数 | 第21页 |
| 3.1.2 增益 | 第21-22页 |
| 3.1.3 输入反射系数 | 第22页 |
| 3.1.4 线性度 | 第22页 |
| 3.2 常用的低噪声放大器电路结构 | 第22-26页 |
| 3.2.1 共栅结构 | 第22-23页 |
| 3.2.2 电压并联负反馈式 | 第23-24页 |
| 3.2.3 源极电感反馈式 | 第24-25页 |
| 3.2.4 共源共栅结构 | 第25-26页 |
| 3.3 低噪声放大器设计 | 第26-31页 |
| 3.3.1 电路结构 | 第26-28页 |
| 3.3.2 电路设计中MOS管子尺寸的确定 | 第28-29页 |
| 3.3.3 LNA输入匹配、增益和噪声之间的折中考虑 | 第29-31页 |
| 3.4本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 CMOS混频器电路分析与设计 | 第32-50页 |
| 4.1 混频器的性能指标参数 | 第33-35页 |
| 4.1.1 噪声系数 | 第33页 |
| 4.1.2 变频增益 | 第33-34页 |
| 4.1.3 线性度 | 第34-35页 |
| 4.2 主要混频器结构的分析和选择 | 第35-40页 |
| 4.2.1 无源混频器 | 第35-36页 |
| 4.2.2 单平衡有源混频器 | 第36-38页 |
| 4.2.3 双平衡有源混频器 | 第38-40页 |
| 4.3 Gilbert混频器设计 | 第40-45页 |
| 4.3.1 Gilbert混频器电路设计 | 第40-41页 |
| 4.3.2 Gilbert混频器变频增益影响因素分析 | 第41-44页 |
| 4.3.3 Gilbert混频器噪声系数影响因素分析 | 第44-45页 |
| 4.4 蓝牙射频接收前端的联合前仿真 | 第45-49页 |
| 4.4.1 射频接收前端的整体电路 | 第45-46页 |
| 4.4.2 射频接收前端的前仿真 | 第46-48页 |
| 4.4.3 射频接收前端的前仿真结果 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 蓝牙接收机射频前端的版图设计与后仿真 | 第50-58页 |
| 5.1 IC版图设计要点 | 第50-52页 |
| 5.1.1 寄生参数 | 第50页 |
| 5.1.2 闩锁效应 | 第50-51页 |
| 5.1.3 天线效应 | 第51-52页 |
| 5.1.4 线电流密度 | 第52页 |
| 5.1.5 对称性 | 第52页 |
| 5.2 射频接收前端的版图设计 | 第52-53页 |
| 5.3 射频接收前端的后仿真 | 第53-55页 |
| 5.3.1 输入匹配S11的后仿真 | 第53-54页 |
| 5.3.2 电压变频增益的后仿真 | 第54页 |
| 5.3.3 噪声系数的后仿真 | 第54-55页 |
| 5.3.4 输入三阶截点(IIP3)的后仿真 | 第55页 |
| 5.4 射频接收前端的后仿真结果 | 第55-57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-59页 |
| 6.1 工作总结 | 第58页 |
| 6.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
