| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 引言 | 第11-19页 |
| 1.1 核聚变原理 | 第13-15页 |
| 1.2 可控核聚变实现途径 | 第15-16页 |
| 1.3 研究背景、内容和意义 | 第16-17页 |
| 1.4 论文结构 | 第17-19页 |
| 第2章 磁约束核聚变基本概念 | 第19-35页 |
| 2.1 托卡马克装置及其偏滤器结构 | 第19-22页 |
| 2.1.1 托卡马克装置 | 第19-20页 |
| 2.1.2 托卡马克中的偏滤器 | 第20-22页 |
| 2.2 边界等离子体物理 | 第22-25页 |
| 2.2.1 偏滤器靶板基本运行状态 | 第22-23页 |
| 2.2.2 高约束模式下的边界局域模 | 第23-25页 |
| 2.3 等离子体与材料的相互作用 | 第25-31页 |
| 2.3.1 面向等离子体材料的选择 | 第25-28页 |
| 2.3.2 等离子体与材料的相互作用过程 | 第28-31页 |
| 2.4 杂质在边界等离子体中的输运 | 第31-34页 |
| 2.4.1 垂直磁面的输运 | 第31-33页 |
| 2.4.2 平行于磁力线的输运 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小节 | 第34-35页 |
| 第3章 相关程序介绍 | 第35-43页 |
| 3.1 网格程序 | 第35-36页 |
| 3.1.1 四边形网格生成程序DG-Carre | 第35页 |
| 3.1.2 三角网格生成程序TRIANGLE | 第35-36页 |
| 3.2 边界等离子模拟程序 | 第36-41页 |
| 3.2.1 SOLPS程序 | 第37-38页 |
| 3.2.2 OEDGE程序 | 第38-41页 |
| 3.3 材料溅射模拟程序 | 第41页 |
| 3.4 本章小节 | 第41-43页 |
| 第4章 DⅢ-D装置上偏滤器钨材料腐蚀的模拟 | 第43-79页 |
| 4.1 DⅢ-D装置简介 | 第43-49页 |
| 4.1.1 DⅢ-D装置偏滤器介绍 | 第44-45页 |
| 4.1.2 钨环实验简介 | 第45页 |
| 4.1.3 实验参数及所用诊断 | 第45-49页 |
| 4.2 FS模型对边界局域模的模拟 | 第49-55页 |
| 4.2.1 拟合诊断数据 | 第49-50页 |
| 4.2.2 FS模型对靶板参数的评估 | 第50-53页 |
| 4.2.3 钨的腐蚀分布 | 第53-55页 |
| 4.3 无边界局域模情况下钨的腐蚀 | 第55-62页 |
| 4.3.1 混合材料模型分析 | 第55-58页 |
| 4.3.2 OEDGE程序模拟 | 第58-62页 |
| 4.4 边界局域模爆发期间钨腐蚀的研究 | 第62-77页 |
| 4.4.1 从CER诊断中获取ELM期间C~(6+)密度 | 第63-65页 |
| 4.4.2 ELM期间由台基输运出来的C~(6+)的价态演化 | 第65-67页 |
| 4.4.3 碳-钨混合模型对ELM期间钨环腐蚀的模拟 | 第67-73页 |
| 4.4.4 ELM期间钨环腐蚀机制的分析 | 第73-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 第5章 CFETR装置上钨作为面向等离子体材料的评估 | 第79-103页 |
| 5.1 中国聚变工程试验堆模拟背景简介 | 第79-83页 |
| 5.2 不同偏滤器运行模式下偏滤器钨腐蚀的评估 | 第83-91页 |
| 5.2.1 SOLPS算例的基本信息 | 第83-85页 |
| 5.2.2 偏滤器靶板钨的腐蚀 | 第85-88页 |
| 5.2.3 芯部钨的浓度及偏滤器屏蔽效果 | 第88-91页 |
| 5.3 不同充杂质位置情况下钨腐蚀的评估 | 第91-98页 |
| 5.3.1 不同充杂质位置时钨偏滤器腐蚀的评估 | 第91-92页 |
| 5.3.2 不同充杂质位置时第一壁钨腐蚀的评估 | 第92-98页 |
| 5.4 充不同杂质气体对钨的腐蚀和芯部浓度的影响 | 第98-101页 |
| 5.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 第6章 总结与展望 | 第103-106页 |
| 6.1 总结 | 第103-104页 |
| 6.2 本文创新点 | 第104-105页 |
| 6.3 展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第113页 |
