摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-25页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 半导体光催化技术研究概述 | 第11-19页 |
1.2.1 半导体光催化技术的机理 | 第11-13页 |
1.2.2 半导体光催化技术的应用 | 第13-15页 |
1.2.3 半导体光催化技术的改进 | 第15-19页 |
1.3 软铋矿材料概述 | 第19-23页 |
1.3.1 软铋矿材料的结构与性能 | 第19-20页 |
1.3.2 软铋矿材料合成方法 | 第20-23页 |
1.4 本研究的意义及研究内容 | 第23-25页 |
1.4.1 研究意义 | 第23-24页 |
1.4.2 研究内容 | 第24-25页 |
第2章 Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化剂的可控制备 | 第25-39页 |
2.1 实验部分 | 第25-29页 |
2.1.1 实验试剂与实验仪器 | 第25-26页 |
2.1.2 Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化剂的可控制备 | 第26-27页 |
2.1.3 表征方法概述 | 第27-29页 |
2.2 催化剂表征结果及制备条件实验 | 第29-32页 |
2.2.1 物相分析 | 第29页 |
2.2.2 形貌分析 | 第29-31页 |
2.2.3 紫外-可见漫反射分析 | 第31-32页 |
2.3 制备条件对产物BGO-C物相及形貌的影响 | 第32-38页 |
2.3.1 水热反应时间对产物BGO-C物相及形貌的影响 | 第32-34页 |
2.3.2 水热反应温度对产物BGO-C物相及形貌的影响 | 第34-35页 |
2.3.3 溶剂组成对产物BGO-C物相及形貌的影响 | 第35-38页 |
2.4 本章小结 | 第38-39页 |
第3章 Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化剂的光催化性能及机理研究 | 第39-56页 |
3.1 实验试剂与实验仪器 | 第40-41页 |
3.2 光催化活性评价方法 | 第41-43页 |
3.2.1 Cr(Ⅵ)溶液的配制及测定方法 | 第41页 |
3.2.2 Cr(Ⅵ)溶液标准曲线的绘制 | 第41-42页 |
3.2.3 光催化反应体系 | 第42-43页 |
3.3 Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化剂对Cr(Ⅵ)溶液的光催化效果 | 第43-47页 |
3.3.1 不同反应体系中Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化剂的光催化性能 | 第43-44页 |
3.3.2 Cr(Ⅵ)溶液初始pH值对其去除效果的影响 | 第44-45页 |
3.3.3 Cr(Ⅵ)溶液初始浓度对其去除效果的影响 | 第45-46页 |
3.3.4 催化剂投加量对Cr(Ⅵ)去除效果的影响 | 第46-47页 |
3.4 Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化还原Cr(Ⅵ)的机理研究及理论计算 | 第47-55页 |
3.4.1 理论计算方法 | 第47-48页 |
3.4.2 Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化剂对Cr(Ⅵ)的吸附及光催化还原机制 | 第48-51页 |
3.4.3 Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化剂的表面能、电子结构及带隙宽度的计算 | 第51-53页 |
3.4.4 Bi_(24)Ga_2O_(39)光催化性能的晶面依赖性研究 | 第53-54页 |
3.4.5 不同晶面暴露的光催化剂的光致发光光谱分析 | 第54-55页 |
3.5 本章小结 | 第55-56页 |
第4章 Bi_(24)Ga_2O_(39)/石墨烯复合材料的制备及其光催化性能研究 | 第56-67页 |
4.1 引言 | 第56-57页 |
4.2 实验部分 | 第57-60页 |
4.2.1 实验试剂与仪器 | 第57-58页 |
4.2.2 Bi_(24)Ga_2O_(39)/石墨烯复合材料的制备 | 第58-59页 |
4.2.3 Bi_(24)Ga_2O_(39)/石墨烯复合材料的表征 | 第59页 |
4.2.4 Bi_(24)Ga_2O_(39)/石墨烯复合材料的光催化活性评价方法 | 第59-60页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第60-66页 |
4.3.1 物相分析 | 第60-61页 |
4.3.2 形貌分析 | 第61-62页 |
4.3.3 紫外可见漫反射分析 | 第62-63页 |
4.3.4 激光拉曼光谱分析 | 第63-64页 |
4.3.5 光致发光光谱分析 | 第64页 |
4.3.6 Bi_(24)Ga_2O_(39)/石墨烯复合材料光催化还原Cr(Ⅵ) | 第64-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-67页 |
第5章 结论与展望 | 第67-69页 |
5.1 结论 | 第67-68页 |
5.2 展望 | 第68-69页 |
致谢(一) | 第69-70页 |
致谢(二) | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-78页 |