| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-39页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·硅及硅化物的结构和性质 | 第12-14页 |
| ·硅的结构和性质 | 第12-13页 |
| ·硅化物的结构与性质 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的特性 | 第14-17页 |
| ·小尺寸效应 | 第14-15页 |
| ·表面效应 | 第15页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第16-17页 |
| ·硅纳米线的制备方法及生长机理 | 第17-24页 |
| ·热蒸发法 | 第18页 |
| ·激光烧蚀法 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·模板法 | 第20-21页 |
| ·物理刻蚀法 | 第21页 |
| ·化学腐蚀法 | 第21-23页 |
| ·VLS机理 | 第23页 |
| ·氧化诱生机理 | 第23-24页 |
| ·硅纳米线的性能及应用 | 第24-35页 |
| ·SiNWs的PL和Raman性能 | 第24-27页 |
| ·SiNWs的应用 | 第27-35页 |
| ·硅纳米线的二极管、三极管的应用 | 第27-28页 |
| ·场发射 | 第28-29页 |
| ·场效应晶体管 | 第29-30页 |
| ·传感器 | 第30页 |
| ·光电探测器及单电子器件 | 第30-31页 |
| ·LED | 第31-32页 |
| ·太阳能电池 | 第32-33页 |
| ·锂离子电池 | 第33-35页 |
| ·硅化物纳米线的制备及性能 | 第35-38页 |
| ·本章总结 | 第38-39页 |
| 第三章 实验内容、设备及测试仪器 | 第39-48页 |
| ·实验内容 | 第39-40页 |
| ·测试仪器和方法 | 第40-48页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第40-42页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第42-43页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第43-44页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第44-46页 |
| ·锂电池性能测试 | 第46-48页 |
| 第四章 硅纳米线阵列的制备及其在锂电池中的应用 | 第48-57页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·CVD法制备硅纳米线阵列 | 第48-49页 |
| ·实验结果分析 | 第49-55页 |
| ·不同温度对纳米线形貌的影响 | 第49-51页 |
| ·不同硅烷浓度对纳米线形貌的影响 | 第51-52页 |
| ·反应时间对纳米线形貌的影响 | 第52-53页 |
| ·催化剂金颗粒对纳米线形貌的影响 | 第53-55页 |
| ·硅纳米线在锂离子电池上的应用 | 第55-56页 |
| ·本章总结 | 第56-57页 |
| 第五章 Ni_2Si纳米线阵列的制备及其在锂电池中的应用 | 第57-68页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·CVD法制备Ni_2Si纳米线阵列 | 第57-63页 |
| ·实验方法 | 第57-58页 |
| ·CVD法制备Ni_2Si纳米线阵列的实验结果与分析 | 第58-63页 |
| ·衬底温度对生成物的影响 | 第58-59页 |
| ·反应时间对生成物的影响 | 第59-61页 |
| ·硅烷浓度对生成物的影响 | 第61-63页 |
| ·Ni_2Si纳米线阵列的生长机理 | 第63-65页 |
| ·Ni_2Si纳米线阵列的锂电池性能 | 第65-67页 |
| ·本章总结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 附录: 硕士攻读学位期间发表的学术论文 | 第77页 |