| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-35页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第14-15页 |
| 1.2 材料基因工程研究历史与现状 | 第15-29页 |
| 1.2.1 材料基因工程 | 第15-20页 |
| 1.2.2 高通量实验技术的研究现状 | 第20-29页 |
| 1.3 第VIA族化合物能源材料国内外研究历史与现状 | 第29-31页 |
| 1.3.1 第VIA族介绍 | 第29页 |
| 1.3.2 第VIA族能源材料研究进展 | 第29-31页 |
| 1.3.3 第VIA族能源材料的高通量实验研究 | 第31页 |
| 1.4 本文的研究内容和结构安排 | 第31-35页 |
| 第二章 面向VIA族化合物的高通量制备技术与装备研究 | 第35-68页 |
| 2.1 引言 | 第35-39页 |
| 2.1.1 高通量组合材料芯片技术 | 第35-36页 |
| 2.1.2 高通量组合材料芯片技术研究现状 | 第36-39页 |
| 2.1.3 本章主要内容 | 第39页 |
| 2.2 高通量化学水浴沉积组合材料芯片制备技术与装备研究 | 第39-45页 |
| 2.2.1 基本原理 | 第39页 |
| 2.2.2 技术需求与总体设计 | 第39-40页 |
| 2.2.3 薄膜成分可控分布 | 第40页 |
| 2.2.4 溶液离子浓度实时反馈控制 | 第40-43页 |
| 2.2.5 技术验证与样机 | 第43-44页 |
| 2.2.6 技术适用范围与展望 | 第44-45页 |
| 2.3 高通量磁控溅射组合材料芯片制备技术与装备研究 | 第45-55页 |
| 2.3.1 基本原理 | 第45页 |
| 2.3.2 技术需求与总体设计 | 第45-46页 |
| 2.3.3 大面积薄膜均匀制备 | 第46-48页 |
| 2.3.4 组合材料样品可控分布 | 第48-49页 |
| 2.3.5 梯度超晶格组合材料芯片制备工艺 | 第49-51页 |
| 2.3.6 技术验证与样机 | 第51-54页 |
| 2.3.7 适用范围与展望 | 第54-55页 |
| 2.4 高通量离子束溅射组合材料芯片制备技术与装备研究 | 第55-62页 |
| 2.4.1 基本原理 | 第55页 |
| 2.4.2 技术需求与总体设计 | 第55-56页 |
| 2.4.3 溅射粒子出射规律与大面积薄膜均匀制备 | 第56-57页 |
| 2.4.4 组合材料样品可控分布 | 第57-58页 |
| 2.4.5 离子源维护腔体设计 | 第58-59页 |
| 2.4.6 靶材长期安全存储 | 第59页 |
| 2.4.7 技术验证与样机 | 第59-61页 |
| 2.4.8 适用范围与展望 | 第61-62页 |
| 2.5 高通量电子束蒸发组合材料芯片制备技术与装备研究 | 第62-67页 |
| 2.5.1 基本原理 | 第62页 |
| 2.5.2 技术需求与总体设计 | 第62-63页 |
| 2.5.3 核心模块设计与改造 | 第63-65页 |
| 2.5.4 系统集成调试 | 第65-66页 |
| 2.5.5 适用范围与展望 | 第66-67页 |
| 2.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第三章 CIGS薄膜吸收层掺杂效应的高通量研究 | 第68-95页 |
| 3.1 引言 | 第68-70页 |
| 3.2 实验部分 | 第70-82页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第70-71页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第71页 |
| 3.2.3 基于CBD的Sb掺杂CIGS薄膜样品制备 | 第71-76页 |
| 3.2.4 基于高通量组合CBD的Sb掺杂CIGS组合材料芯片制备 | 第76-81页 |
| 3.2.5 样品表征 | 第81-82页 |
| 3.3 结果讨论 | 第82-93页 |
| 3.3.1 基于化学水浴沉积的Sb掺杂对CIGS薄膜影响初探 | 第82-87页 |
| 3.3.2 采用不同厚度Sb_2S_3进行Sb掺杂对CIGS薄膜性能影响研究 | 第87-92页 |
| 3.3.3 准液相Sb_2S_3促进CIGS薄膜晶粒生长模型 | 第92-93页 |
| 3.4 本章小结 | 第93-95页 |
| 第四章 Li_2S-GeS_2-P_2S_5伪三元材料固态电解质的高通量实验研究 | 第95-111页 |
| 4.1 引言 | 第95-97页 |
| 4.2 实验部分 | 第97-103页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第97-98页 |
| 4.2.2 高通量电化学测试芯片设计 | 第98-99页 |
| 4.2.3 Li_2S-GeS_2-P_2S_5伪三元组合材料芯片高通量制备 | 第99-103页 |
| 4.2.4 高通量表征 | 第103页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第103-109页 |
| 4.3.1 430℃热处理条件下的Li_2S-GeS_2-P_2S_5三元材料相图 | 第103-108页 |
| 4.3.2 430℃热处理条件下的材料成分—相对阻抗关系 | 第108-109页 |
| 4.4 本章小结 | 第109-111页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第111-116页 |
| 5.1 全文总结 | 第111-113页 |
| 5.2 创新点 | 第113-114页 |
| 5.3 后续工作展望 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-136页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第136-137页 |
