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单个晶粒在熔体中的漂移行为的数值模拟研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第一章 绪论第9-18页
    1.1 课题背景及意义第9-10页
    1.2 研究晶粒运动的模拟方法第10-11页
    1.3 格子玻尔兹曼方法在合金凝固过程中的研究概况第11-15页
        1.3.1 国外研究概况第11-13页
        1.3.2 国内研究概况第13-14页
        1.3.3 研究晶粒运动的国内外进展第14-15页
    1.4 本课题的研究目标、研究内容、研究方法及研究技术路线第15-18页
        1.4.1 研究目标第15页
        1.4.2 研究内容第15页
        1.4.3 研究方法及研究技术路线第15-18页
第二章 基于LBM-CA方法的晶粒漂移数值模型的建立第18-34页
    2.1 LBM的基本原理第18-19页
    2.2 模拟流场条件下的Boltzmann模型第19-21页
        2.2.1 自然对流条件下LBM模型第20-21页
        2.2.2 强制对流条件下LBM模型第21页
    2.3 模拟温度场和溶质场的格子Boltzmann模型第21-23页
    2.4 格子Boltzmann模型的边界条件第23-27页
    2.5 格子Boltzmann方法的流固两相边界处理第27-28页
    2.6 模拟枝晶生长的元胞自动机模型第28-32页
        2.6.1 枝晶生长及捕获模型第28页
        2.6.2 过冷度第28-29页
        2.6.3 KGT生长模型及其捕获模型第29-30页
        2.6.4 溶质扩散生长第30-31页
        2.6.5 捕获模型第31-32页
    2.7 格子玻尔兹曼方法和元胞自动机耦合第32-34页
第三章 数值模型的验证第34-44页
    3.1 封闭方腔中自然对流的验证第34-36页
    3.2 封闭方腔强制对流的验证第36-38页
    3.3 单个颗粒下落的模拟第38-44页
        3.3.1 无对流条件的下落第38-40页
        3.3.2 强制对流条件的下落第40-44页
第四章 单个晶粒漂移生长的微观组织模拟第44-54页
    4.1 纯铝的计算参数及边界条件第44-45页
    4.2 自然对流条件下单个纯铝晶粒的生长第45-47页
    4.3 自然对流条件下单个纯铝晶粒漂移生长的分析第47-48页
    4.4 强制对流条件下单个纯铝晶粒的生长第48页
    4.5 铝铜合金的计算参数及边界条件第48-50页
    4.6 自然对流条件下单个铝铜合金晶粒的生长第50-51页
    4.7 自然对流条件下单个铝铜合金晶粒漂移生长的分析第51-52页
    4.8 强制对流条件下单个铝铜合金晶粒漂移生长的分析第52-54页
第五章 结论第54-56页
    5.1 结论第54-55页
    5.2 展望第55页
    5.3 本文创新点第55-56页
参考文献第56-62页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第62-64页
致谢第64页

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