| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.1.1 硅的晶体结构 | 第10页 |
| 1.1.2 硅的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.1.3 铸锭多晶硅的应用 | 第12页 |
| 1.2 铸锭多晶硅的生长方法 | 第12-13页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第13-20页 |
| 1.4 课题研究意义 | 第20-21页 |
| 1.5 课题主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 微观组织模拟方法概述 | 第22-28页 |
| 2.1 确定性模拟方法（deterministic modeling） | 第22页 |
| 2.2 界面追踪法 | 第22-23页 |
| 2.3 相场方法（phase-field modeling） | 第23-24页 |
| 2.4 随机性模拟方法（stochastic modeling） | 第24-28页 |
| 2.4.1 元胞自动机的发展史 | 第24-25页 |
| 2.4.2 元胞自动机的特征 | 第25页 |
| 2.4.3 元胞自动机的分类 | 第25-26页 |
| 2.4.4 元胞自动机的基本构成 | 第26-28页 |
| 第三章 数值计算模型 | 第28-44页 |
| 3.1 微观数值模拟流程 | 第28-30页 |
| 3.2 网格划分及参数设置 | 第30-32页 |
| 3.2.1 宏观网格划分过程 | 第30-31页 |
| 3.2.2 微观网格划分过程 | 第31-32页 |
| 3.2.3 铸锭模拟参数的设置 | 第32页 |
| 3.3 温度场计算模型 | 第32-35页 |
| 3.3.1 宏观温度场计算 | 第32-33页 |
| 3.3.2 微观温度场计算 | 第33-34页 |
| 3.3.3 宏微观温度场耦合计算 | 第34-35页 |
| 3.4 形核模型 | 第35-37页 |
| 3.5 生长模型 | 第37-40页 |
| 3.5.1 过冷度计算 | 第39页 |
| 3.5.2 生长计算 | 第39-40页 |
| 3.6 转变和捕获模型 | 第40-41页 |
| 3.7 本章小结 | 第41-44页 |
| 第四章 晶体形核与生长模拟 | 第44-58页 |
| 4.1 温度场及固液界面形状变化 | 第44-49页 |
| 4.2 柱状晶生长过程 | 第49-53页 |
| 4.3 掺杂分析 | 第53-56页 |
| 4.3.1 形核过程 | 第53-55页 |
| 4.3.2 杂质富集过程 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 晶粒竞争生长 | 第58-71页 |
| 5.1 局部温度场模拟结果 | 第58-60页 |
| 5.1.1 温度场分布 | 第59-60页 |
| 5.1.2 温度梯度变化 | 第60页 |
| 5.2 晶粒生长过程 | 第60-64页 |
| 5.2.1 晶粒竞争生长 | 第61-63页 |
| 5.2.2 晶粒数目变化 | 第63-64页 |
| 5.3. 生长速率和凸出率变化 | 第64-66页 |
| 5.4 底部换热系数对晶粒数目的影响 | 第66-68页 |
| 5.4.1 晶粒的生长过程 | 第66-67页 |
| 5.4.2 晶粒数目的变化 | 第67-68页 |
| 5.5 本章小结 | 第68-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
