致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
abstract | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第16-25页 |
1.1 论文研究背景 | 第16页 |
1.1.1 电化学析氢的研究背景 | 第16页 |
1.1.2 光电子器件的研究背景 | 第16页 |
1.2 二维层状纳米材料 | 第16-19页 |
1.2.1 二维层状纳米材料的研究意义 | 第16-17页 |
1.2.2 二维层状纳米材料的结构 | 第17页 |
1.2.3 二维层状纳米材料的制备方法 | 第17-19页 |
1.2.4 二维层状纳米材料的表征 | 第19页 |
1.3 纳米复合材料 | 第19-20页 |
1.3.1 纳米复合材料的研究意义 | 第19页 |
1.3.2 纳米复合材料的分类和制备方法 | 第19-20页 |
1.4 电化学析氢 | 第20页 |
1.4.1 电化学析氢的概述 | 第20页 |
1.4.2 电化学析氢的电极材料 | 第20页 |
1.5 光电探测器 | 第20-22页 |
1.5.1 光电探测器的概述 | 第20-21页 |
1.5.2 光电探测器的性能指标 | 第21-22页 |
1.5.3 光电探测器的表征 | 第22页 |
1.6 本课题的提出和研究意义 | 第22-25页 |
1.6.1 关于ZnSe/MoSe_2纳米复合材料作为电催化剂的析氢性能的研究 | 第22-23页 |
1.6.2 基于WS_2纳米片作为吸光材料制备光电探测器性能的研究 | 第23-25页 |
第二章 ZnSe/MoSe_2复合纳米管的制备及电化学析氢性能研究 | 第25-43页 |
2.1 引言 | 第25-27页 |
2.2 实验方法 | 第27-36页 |
2.2.1 ZnSe/MoSe_2复合纳米管制备所需化学试剂及实验器材 | 第27页 |
2.2.2 ZnSe/MoSe_2复合纳米管的制备 | 第27-28页 |
2.2.3 ZnSe/MoSe_2复合纳米管的表征 | 第28-36页 |
2.3 ZnSe/MoSe_2复合纳米管析氢性能研究 | 第36-40页 |
2.4 本章小结 | 第40-43页 |
第三章 WS_2纳米片的合成及光电探测性能研究 | 第43-57页 |
3.1 引言 | 第43页 |
3.2 WS_2纳米片的合成与表征 | 第43-47页 |
3.2.1 WS_2纳米片的制备 | 第44-45页 |
3.2.2 WS_2纳米片的表征 | 第45-47页 |
3.3 基于WS_2纳米片光电器件的构建及其性能研究 | 第47-56页 |
3.3.1 基于旋涂法制备的n-nSi/WS_2异质结 | 第48-49页 |
3.3.2 n-nSi/WS_2电极的制备 | 第49-50页 |
3.3.3 n-nSi/WS_2作为光电器件性能的研究 | 第50-56页 |
3.4 本章小结 | 第56-57页 |
第四章 总结和展望 | 第57-58页 |
4.1 总结 | 第57页 |
4.2 展望 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-67页 |
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第67-68页 |