| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体的基本理论 | 第11-15页 |
| 1.2.1 能带理论 | 第11-13页 |
| 1.2.2 半导体的基本能带结构 | 第13-14页 |
| 1.2.3 半导体掺杂介绍 | 第14-15页 |
| 1.3 半导体的分类及国内外发展状况 | 第15-19页 |
| 1.3.1 第一代半导体材料 | 第15-16页 |
| 1.3.2 第二代半导体材料 | 第16-17页 |
| 1.3.3 第三代半导体材料 | 第17-19页 |
| 1.4 二维碳素材料--石墨烯 | 第19-20页 |
| 1.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 理论基础与计算软件 | 第21-27页 |
| 2.1 第一性原理(First-Principles) | 第21页 |
| 2.2 密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT) | 第21-26页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Hohenber-Kohn定理(HK定理) | 第22页 |
| 2.2.3 Kohn-sham方程 | 第22-24页 |
| 2.2.4 局域密度近似(LDA) | 第24-25页 |
| 2.2.5 广义梯度近似(GGA) | 第25页 |
| 2.2.6 扩展休克尔理论(Extended Huckel Theory) | 第25-26页 |
| 2.3 计算软件介绍 | 第26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 五元环石墨烯的研究 | 第27-32页 |
| 3.1 五元环石墨烯介绍 | 第27-28页 |
| 3.2 五元环石墨烯的结构 | 第28-29页 |
| 3.3 五元环石墨烯的能带结构 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 掺杂五元环石墨烯结构研究 | 第32-38页 |
| 4.1 掺杂方式介绍 | 第32-34页 |
| 4.1.1 掺杂元素 | 第32页 |
| 4.1.2 掺杂方式 | 第32-33页 |
| 4.1.3 掺杂浓度 | 第33-34页 |
| 4.2 硼原子掺杂 | 第34-35页 |
| 4.3 硅原子掺杂 | 第35-36页 |
| 4.4 氮原子掺杂 | 第36-37页 |
| 4.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 掺杂对五元环石墨烯能带结构的影响 | 第38-48页 |
| 5.1 硼原子掺杂对五元环石墨烯能带结构的影响 | 第38-39页 |
| 5.2 硅原子掺杂对五元环石墨烯能带结构的影响 | 第39-44页 |
| 5.3 氮原子掺杂对五元环石墨烯能带结构的影响 | 第44-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 总结与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第54页 |
