摘要 | 第4-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第16-28页 |
1.1 引言 | 第16-17页 |
1.2 纳米科技与纳米材料 | 第17-18页 |
1.3 一维纳米材料的制备 | 第18-22页 |
1.3.1 溶剂热合成法 | 第18-19页 |
1.3.2 模板法 | 第19-20页 |
1.3.3 金属有机化学气相沉积法 | 第20-21页 |
1.3.4 化学气相沉积法 | 第21-22页 |
1.4 砷化镓一维纳米结构的研究背景 | 第22-25页 |
1.4.1 GaAs的基本性质 | 第22-24页 |
1.4.2 GaAs纳米材料的应用 | 第24-25页 |
1.5 GaAs纳米线太阳能电池 | 第25-26页 |
1.5.1 纳米线太阳能电池的优势 | 第25页 |
1.5.2 GaAs纳米线太阳能电池的优势及困难 | 第25-26页 |
1.6 本文的主要研究内容及路线 | 第26-28页 |
第二章 表征方法和实验仪器、试剂 | 第28-34页 |
2.1 表征方法和仪器 | 第28-30页 |
2.1.1 X射线衍射 | 第28-29页 |
2.1.2 扫描电子显微镜 | 第29页 |
2.1.3 (高分辨)透射电子显微镜 | 第29-30页 |
2.2 微纳器件测试平台 | 第30页 |
2.3 实验主要的实验设备和实验试剂 | 第30-34页 |
第三章 不同形貌催化剂催化生长GaAs纳米线的探究 | 第34-42页 |
3.1 引言 | 第34-35页 |
3.2 实验部分 | 第35-37页 |
3.2.1 不同形貌纳米Au颗粒的合成 | 第35-36页 |
3.2.2 Au@Pd核壳八面体纳米结构的合成 | 第36-37页 |
3.2.3 不同形貌纳米Au颗粒及Au@Pd催化剂进行GaAs纳米线的催化生长 | 第37页 |
3.3 结果与讨论 | 第37-41页 |
3.3.1 不同形貌纳米Au颗粒催化剂的形貌表征 | 第37-39页 |
3.3.2 不同形貌纳米Au颗粒催化生长的GaAs纳米线的形貌表征 | 第39-40页 |
3.3.3 Au@Pd核壳八面体纳米结构的表征 | 第40-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 GaAs纳米线的分子外延关系的研究 | 第42-56页 |
4.1 引言 | 第42-43页 |
4.2 实验部分 | 第43-44页 |
4.2.1 GaSb、GaAs和InGaAs纳米线的生长制备 | 第43-44页 |
4.2.2 GaSb、GaAs和InGaAs纳米线的结构表征分析 | 第44页 |
4.3 结果与讨论 | 第44-53页 |
4.3.1 不同粒径Pd、Ag薄膜种子催化生长GaAs纳米线的结构表征 | 第44-47页 |
4.3.2 Au种子催化生长GaSb纳米线以及三元InGaAs纳米线的结构表征 | 第47-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-56页 |
第五章 GaAs-Ga纳米线异质结的制备及电学性能测试 | 第56-70页 |
5.1 引言 | 第56-57页 |
5.2 实验部分 | 第57-59页 |
5.2.1 GaAs-Ga纳米线异质结的生长制备 | 第57-58页 |
5.2.2 GaAs-Ga纳米线异质结的结构表征分析 | 第58-59页 |
5.2.3 GaAs-Ga纳米线异质结的器件制作及电学性能分析 | 第59页 |
5.3 结果与讨论 | 第59-65页 |
5.3.1 Au纳米颗粒的形貌表征与粒径统计 | 第59-60页 |
5.3.2 Au纳米颗粒催化生长GaAs纳米线结构表征 | 第60-63页 |
5.3.3 Au纳米颗粒催化生长GaAs纳米线异质结结构统计及机理分析 | 第63-65页 |
5.4 Au纳米颗粒催化生长GaAs纳米线器件制作及电学性能测试 | 第65-68页 |
5.4.1 Au纳米颗粒催化生长GaAs纳米线器件 | 第65-66页 |
5.4.2 Au纳米颗粒催化生长GaAs纳米线器件电学性能测试分析 | 第66-68页 |
5.5 本章小结 | 第68-70页 |
第六章 结论与展望 | 第70-72页 |
6.1 结论 | 第70-71页 |
6.2 展望 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-78页 |
致谢 | 第78-80页 |
发表的学术论文和专利 | 第80-82页 |
作者和导师简介 | 第82-84页 |
附件 | 第84-85页 |