| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 电阻转换中缺陷的作用 | 第12-13页 |
| 1.3 阻变中的价态机制(VCM) | 第13-14页 |
| 1.4 钛酸锶缺陷模型 | 第14-18页 |
| 1.4.1 点缺陷(pointdefects) | 第14-16页 |
| 1.4.2 扩展缺陷(extendeddefects) | 第16-18页 |
| 1.5 电阻转换机制 | 第18-19页 |
| 1.5.1 界面势垒调节机制 | 第18-19页 |
| 1.5.2 电子俘获释放调节机制 | 第19页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 SrTiO_3薄膜的脉冲激光沉积制备工艺与表征方法 | 第23-39页 |
| 2.1 脉冲激光沉积(PLD)简介 | 第23-27页 |
| 2.1.1 PLD实验过程 | 第23-24页 |
| 2.1.2 靶材的激光烧蚀和等离子体的产生 | 第24页 |
| 2.1.3 等离子体的热动力学过程 | 第24-25页 |
| 2.1.4 薄膜在衬底上的沉积 | 第25-26页 |
| 2.1.5 基底表面薄膜的形核与生长 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜的形貌分析 | 第27-33页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
| 2.2.2 扫描探针显微镜(SPM) | 第29-33页 |
| 2.2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第30-32页 |
| 2.2.2.2 开尔文探针力显微镜(KPFM) | 第32页 |
| 2.2.2.3 导电原子力显微镜(C-AFM) | 第32-33页 |
| 2.3 薄膜相结构分析 | 第33-35页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第34-35页 |
| 2.4 薄膜的电学性能测量 | 第35-36页 |
| 2.4.1 C-V测试 | 第35-36页 |
| 2.4.2 I-V测试 | 第36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 脉冲激光沉积工艺对SrTiO_3薄膜的影响 | 第39-50页 |
| 3.1 PLD实验系统及过程 | 第39-41页 |
| 3.2 SrTiO_3薄膜的生长工艺 | 第41-42页 |
| 3.3 衬底温度对SrTiO_3薄膜生长的影响 | 第42-45页 |
| 3.4 氧分压对SrTiO_3薄膜生长的影响 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 n-n~+SrTiO_3/Si(001)异质结的电学特性 | 第50-67页 |
| 4.1 半导体异质结及其能带结构 | 第50-52页 |
| 4.1.1 突变反型异质结能带图 | 第50-52页 |
| 4.1.2 突变同型异质结能带图 | 第52页 |
| 4.2 半导体异质结中的载流子传输机制 | 第52-55页 |
| 4.2.1 理查德森-肖特基-西蒙斯发射(RSS) | 第53页 |
| 4.2.2 普尔-弗兰克(Poole-Frenkel)发射 | 第53-54页 |
| 4.2.3 直接遂穿(directtunneling) | 第54页 |
| 4.2.4 福勒-洛德海姆(Fowler-Nordheim)遂穿 | 第54页 |
| 4.2.5 空间电荷限制电流(spacechargelimitedcurrent,SCLC) | 第54-55页 |
| 4.3 SrTiO_3薄膜的电学性质 | 第55-58页 |
| 4.4 SrTiO_3/Si(001)同型异质结的电学性质 | 第58-61页 |
| 4.5 氧空位对载流子的影响 | 第61-62页 |
| 4.6 理论分析 | 第62-63页 |
| 4.7 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第五章 其它因素对n-n~+SrTiO_3/Si(001)异质结电学性质的影响 | 第67-77页 |
| 5.1 SiO2中间层对异质结电学性质的影响 | 第67-71页 |
| 5.2 光照对异质结的电学性质的影响 | 第71-73页 |
| 5.3 磁场对异质结电学性质的影响 | 第73-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 总结与展望 | 第77-79页 |
| 攻读硕士研究生期间完成的论文 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
