| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 钙钛矿太阳能电池简介 | 第11-13页 |
| 1.2.1 钙钛矿材料 | 第11页 |
| 1.2.2 器件结构和工作原理 | 第11-13页 |
| 1.3 钙钛矿太阳能电池的发展 | 第13-18页 |
| 1.3.1 电子传输层材料的发展 | 第14-15页 |
| 1.3.2 空穴传输层材料的发展 | 第15-17页 |
| 1.3.3 修饰层材料的发展 | 第17-18页 |
| 1.4 钙钛矿太阳能电池的稳定性 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容和方法 | 第19-21页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第21-31页 |
| 2.1 实验材料与设备 | 第21-22页 |
| 2.2 钙钛矿太阳能电池的制备 | 第22-26页 |
| 2.2.1 GO/PCBM复合物的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.2 GO/PCBM电子传输层器件制备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 rGO/PCBM、Graphene/PCBM电子传输层器件制备 | 第24-25页 |
| 2.2.4 MoS_2修饰层电池器件的制备 | 第25-26页 |
| 2.3 钙钛矿太阳能薄膜表征 | 第26-27页 |
| 2.4 太阳能电池器件性能测试 | 第27-31页 |
| 2.4.1 电流密度-电压曲线 | 第27-29页 |
| 2.4.2 迟滞效应 | 第29-30页 |
| 2.4.3 外量子效率 | 第30-31页 |
| 第3章 二维材料在碘系钙钛矿太阳能电池中的应用 | 第31-49页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 石墨烯衍生物钙钛矿太阳能电池器件光电性能研究 | 第31-34页 |
| 3.2.1 GO/PCBM电子传输层器件性能研究 | 第32-33页 |
| 3.2.2 rGO/PCBM、Graphene/PCBM电子传输层器件性能研究 | 第33-34页 |
| 3.3 MoS_2修饰层钙钛矿太阳能电池器件光电性能研究 | 第34-42页 |
| 3.3.1 基底预热和退火工艺对器件性能的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.2 MoS_2修饰层厚度对器件性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.3 电极厚度对器件性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.4 钙钛矿层旋涂速度对器件性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.4 MoS_2修饰层钙钛矿太阳能电池器件表征及机理研究 | 第42-48页 |
| 3.4.1 基底预热和退火工艺对钙钛矿形貌的影响 | 第42-43页 |
| 3.4.2 MoS_2修饰层不同厚度形貌表征 | 第43-44页 |
| 3.4.3 MoS_2修饰层对器件光电性能的影响机理 | 第44-46页 |
| 3.4.4 MoS_2修饰层对器件稳定性的影响机理 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 溴掺杂钙钛矿太阳能电池的制备及研究 | 第49-62页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 溴掺杂钙钛矿太阳能电池器件制备 | 第49-51页 |
| 4.2.1 溴掺杂钙钛矿吸光材料制备 | 第49-50页 |
| 4.2.2 溴掺杂钙钛矿电池器件制备 | 第50-51页 |
| 4.3 溴掺杂钙钛矿太阳能电池薄膜表征 | 第51-53页 |
| 4.3.1 溴掺杂比例对薄膜形貌的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.2 溴掺杂比例对薄膜结构的影响 | 第52-53页 |
| 4.4 溴掺杂钙钛矿太阳能电池器件光电性能研究 | 第53-58页 |
| 4.4.1 溴掺杂比例对器件性能的影响 | 第53-55页 |
| 4.4.2 乙二胺盐对CH_3NH_3PbI_2Br电池器件性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.4.3 旋涂速度对CH_3NH_3PbI_2Br电池器件性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.4.4 退火温度对CH_3NH_3PbI_2Br电池器件性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.5 溴掺杂对电池器件性能的影响及机理 | 第58-60页 |
| 4.5.1 溴掺杂对电池器件迟滞效应的影响 | 第58-59页 |
| 4.5.2 溴掺杂对器件性能的影响机理 | 第59-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
