摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
1 绪论 | 第8-23页 |
·引言 | 第8-10页 |
·ZnO半导体材料的基本性质及应用 | 第10-12页 |
·ZnO半导体材料场发射研究进展 | 第12-13页 |
·半导体场发射理论 | 第13-17页 |
·场发射原理 | 第13-14页 |
·半导体场发射理论进展 | 第14页 |
·场发射的定量公式 | 第14-16页 |
·半导体外场致发射 | 第16-17页 |
·场发射的应用前景 | 第17-19页 |
·一维ZnO纳米线的制备方法和手段 | 第19-21页 |
·本论文的主要研究内容和研究特色 | 第21-22页 |
·本课题的研究意义与创新点 | 第22-23页 |
2 一维ZnO半导体纳米线的制备及特性分析 | 第23-31页 |
·一维ZnO纳米线的制备 | 第23-24页 |
·表征及分析 | 第24-26页 |
·X射线衍射(XRD)原理 | 第24-25页 |
·扫描电子显微镜(SEM)原理 | 第25页 |
·透射电子显微镜(TEM)原理 | 第25-26页 |
·水热合成法制备的一维ZnO纳米线的分析结果 | 第26-31页 |
·结构分析 | 第26-27页 |
·形貌分析 | 第27-30页 |
·水热合成ZnO半导体纳米线阵列的生长机制与影响因素 | 第30-31页 |
3 一维取向ZnO纳米线阵列场发射性能测试 | 第31-40页 |
·场发射特性参数 | 第31-32页 |
·场发射测试装置及过程 | 第32-33页 |
·场发射测试装置 | 第32页 |
·场发射测试过程 | 第32-33页 |
·一维ZnO纳米线场发射特性研究 | 第33-40页 |
·不同氨水浓度条件对ZnO纳米线阵列场发射的影响 | 第33-36页 |
·一维ZnO纳米线场发射与纳米线阵列比表面积间的关系 | 第36-37页 |
·不同生长时间条件制备的一维ZnO纳米线场发射的影响 | 第37-40页 |
结论 | 第40-42页 |
参考文献 | 第42-45页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第45-46页 |
致谢 | 第46页 |