| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 范德瓦尔斯异质结 | 第11-13页 |
| 1.2.1 电场对电子结构的调控 | 第11-12页 |
| 1.2.2 电容特性 | 第12-13页 |
| 1.3 石墨炔与单层ZnO材料 | 第13-17页 |
| 1.3.1 石墨炔 | 第13-16页 |
| 1.3.2 氧化锌材料 | 第16-17页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 基本理论与计算软件 | 第20-28页 |
| 2.1 单电子近似方法 | 第20-24页 |
| 2.2 密度泛函理论框架 | 第24-27页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第26-27页 |
| 2.3 程序包简介 | 第27-28页 |
| 第三章 单层ZnO与石墨炔电子结构研究 | 第28-44页 |
| 3.1 单层ZnO | 第28-33页 |
| 3.1.1 理论模型 | 第28-29页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.1.3 结果与讨论 | 第30-33页 |
| 3.2 α相石墨炔 | 第33-35页 |
| 3.2.1 理论模型与计算细节 | 第33-34页 |
| 3.2.2 能带结构与态密度 | 第34-35页 |
| 3.3 β相石墨炔 | 第35-38页 |
| 3.3.1 理论模型与计算细节 | 第35-37页 |
| 3.3.2 能带结构与态密度 | 第37-38页 |
| 3.4 γ相石墨炔 | 第38-41页 |
| 3.4.1 理论模型与计算细节 | 第38-40页 |
| 3.4.2 能带结构与态密度 | 第40-41页 |
| 3.5 小结 | 第41-44页 |
| 第四章 单层ZnO与石墨炔范德瓦尔斯异质结电子结构与电容特性研究 | 第44-76页 |
| 4.1 计算方法 | 第44页 |
| 4.2 外电场对ZnO/α-Graphyne电子结构的调制 | 第44-56页 |
| 4.2.1 理论模型 | 第44-45页 |
| 4.2.2 几何结构 | 第45-47页 |
| 4.2.3 能带结构 | 第47-54页 |
| 4.2.4 电容特性 | 第54-56页 |
| 4.3 外电场对ZnO/β-Graphyne电子结构的调制 | 第56-62页 |
| 4.3.1 理论模型 | 第56页 |
| 4.3.2 几何结构 | 第56-58页 |
| 4.3.3 能带结构 | 第58-61页 |
| 4.3.4 电容特性 | 第61-62页 |
| 4.4 外电场对ZnO/γ-Graphyne电子结构的调制 | 第62-73页 |
| 4.4.1 理论模型 | 第62页 |
| 4.4.2 几何结构 | 第62-65页 |
| 4.4.3 能带结构 | 第65-71页 |
| 4.4.4 电容特性 | 第71-73页 |
| 4.5 小结 | 第73-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-80页 |
| 参考文献 | 第80-90页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
