摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 太阳能电池的分类 | 第10-15页 |
1.2.1 硅基太阳能电池 | 第10-11页 |
1.2.2 化合物半导体薄膜太阳能电池 | 第11页 |
1.2.3 有机聚合物薄膜太阳能电池 | 第11-12页 |
1.2.4 染料敏化太阳能电池 | 第12-13页 |
1.2.5 有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池 | 第13-14页 |
1.2.6 无机钙钛矿太阳能电池 | 第14-15页 |
1.3 钙钛矿太阳能电池 | 第15-18页 |
1.3.1 钙钛矿的组成和性质 | 第15-16页 |
1.3.2 工作机制 | 第16页 |
1.3.3 器件结构 | 第16-18页 |
1.4 钙钛矿薄膜制备方法 | 第18-19页 |
1.4.1 一步法制备钙钛矿层 | 第18页 |
1.4.2 两步法制备钙钛矿层 | 第18-19页 |
1.4.3 双源共蒸发法制备钙钛矿层 | 第19页 |
1.5 无机钙钛矿材料的优缺点 | 第19-20页 |
1.5.1 无机钙钛矿的优点 | 第19-20页 |
1.5.2 无机钙钛矿的缺点 | 第20页 |
1.6 目前国内外研究所存在的问题 | 第20-21页 |
1.7 本论文设计思路及主要内容 | 第21-23页 |
第二章 铯铅碘钙钛矿成膜方法的探究 | 第23-38页 |
2.1 前言 | 第23页 |
2.2 实验部分 | 第23-25页 |
2.2.1 药品和材料 | 第23-24页 |
2.2.2 仪器与设备 | 第24页 |
2.2.3 无机钙钛矿CsPbI_3薄膜的制备 | 第24页 |
2.2.4 钙钛矿太阳能电池的制备 | 第24-25页 |
2.3 实验结果与讨论 | 第25-37页 |
2.3.1 氢碘酸添加剂对钙钛矿薄膜的影响 | 第25-27页 |
2.3.2 不同前驱液溶解时间对钙钛矿薄膜的影响 | 第27-28页 |
2.3.3 不同体积分数的氢碘酸对钙钛矿薄膜的影响 | 第28-31页 |
2.3.4 不同的预热温度对钙钛矿薄膜的影响 | 第31-32页 |
2.3.5 不同前驱液浓度对钙钛矿薄膜的影响 | 第32-34页 |
2.3.6 不同退火温度对钙钛矿薄膜的影响 | 第34-35页 |
2.3.7 在空气中放置不同的时间对钙钛矿薄膜的影响 | 第35-36页 |
2.3.8 在不同的基底对钙钛矿薄膜的影响 | 第36-37页 |
2.4 本章小结 | 第37-38页 |
第三章 无机铯铅碘钙钛矿太阳能电池的制备及性能研究 | 第38-51页 |
3.1 前言 | 第38页 |
3.2 实验部分 | 第38-41页 |
3.2.1 药品与材料 | 第38-39页 |
3.2.2 仪器与设备 | 第39页 |
3.2.3 钙钛矿薄膜的制备工艺 | 第39页 |
3.2.4 器件的制备工艺 | 第39-41页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第41-50页 |
3.3.1 空气中测试的钙钛矿太阳能电池的性能 | 第41-42页 |
3.3.2 手套箱中的钙钛矿太阳能电池的性能 | 第42-46页 |
3.3.3 钙钛矿薄膜的形貌分析 | 第46-48页 |
3.3.4 钙钛矿薄膜的XRD分析 | 第48页 |
3.3.5 钙钛矿薄膜的紫外吸收和PL分析 | 第48-50页 |
3.4 本章小结 | 第50-51页 |
第四章 基于CsPbI_xBr_(3-x)的钙钛矿太阳能电池的制备及性能研究 | 第51-65页 |
4.1 前言 | 第51页 |
4.2 实验部分 | 第51-53页 |
4.2.1 药品与材料 | 第51页 |
4.2.2 仪器与设备 | 第51页 |
4.2.3 制备钙钛矿薄膜 | 第51-52页 |
4.2.4 钙钛矿太阳能电池器件的制备 | 第52-53页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第53-64页 |
4.3.1 不同退火温度对CsPbI_xBr_(3-x)钙钛矿太阳能电池的性能的影响 | 第53-57页 |
4.3.2 CsPbI_xBr_(3-x)钙钛矿薄膜的AFM分析 | 第57-60页 |
4.3.3 CsPbI_xBr_(3-x)钙钛矿薄膜的SEM图 | 第60-62页 |
4.3.4 CsPbI_xBr_(3-x)钙钛矿薄膜的紫外吸收和PL光谱 | 第62-63页 |
4.3.5 CsPbI_xBr_(3-x)钙钛矿晶体的XRD分析 | 第63-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 全文总结与展望 | 第65-67页 |
5.1 全文总结 | 第65页 |
5.2 展望 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-74页 |
发表论文和科研情况说明 | 第74-75页 |
致谢 | 第75页 |