| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第12-27页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 中子源类型及特点综述 | 第13-20页 |
| 1.2.1 放射性核素中子源 | 第13-15页 |
| 1.2.2 反应堆中子源 | 第15-16页 |
| 1.2.3 加速器中子源 | 第16-20页 |
| 1.3 聚变堆结构材料用中子源发展现状 | 第20-23页 |
| 1.4 ~~9Be(d,n)反应中子学特性研究现状及进一步研究的必要性 | 第23-25页 |
| 1.5 论文主要研究内容及结构 | 第25-27页 |
| 第二章 ~9Be(d,n)反应相关理论及厚靶~9Be(d,n)中子源中子特性参数计算方法.. | 第27-37页 |
| 2.1~~9Be(d,n)反应的基本理论 | 第27-28页 |
| 2.2 薄铍靶中子源中子特性的计算方法 | 第28-30页 |
| 2.2.1 薄铍靶中子能谱的计算方法 | 第28-29页 |
| 2.2.2 薄铍靶中子角分布的计算方法 | 第29页 |
| 2.2.3 薄铍靶积分中子产额的计算方法 | 第29-30页 |
| 2.3 厚铍靶~9Be(d,n)反应中子源中子特性计算方法 | 第30-35页 |
| 2.3.1 第一层薄靶中产生的中子特性参数 | 第31-32页 |
| 2.3.2 第二层薄靶中产生的中子特性参数 | 第32-33页 |
| 2.3.3 第i层薄靶中产生的中子特性参数 | 第33-34页 |
| 2.3.4 厚铍靶的中子能谱、中子角分布以及积分中子产额 | 第34-35页 |
| 2.4 氘离子在厚铍靶中的阻止本领 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 ~9Be(d,n)反应双微分截面和厚靶~9Be(d,n)中子源中子特性参数计算 | 第37-61页 |
| 3.1 TALYS程序及对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算 | 第37-43页 |
| 3.1.1 TALYS程序简介 | 第37-39页 |
| 3.1.2 采用TALYS程序对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算与检验 | 第39-43页 |
| 3.2 基于TALYS双微分截面的厚靶~9Be(d,n)反应中子能谱计算 | 第43-48页 |
| 3.3 统计模型及对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算 | 第48-51页 |
| 3.3.1 统计模型简介 | 第48-50页 |
| 3.3.2 统计模型对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算 | 第50-51页 |
| 3.4 厚靶~9Be(d,n)反应中子特性参数计算结果 | 第51-55页 |
| 3.4.1 厚靶~9Be(d,n)反应中子能谱 | 第52-53页 |
| 3.4.2 厚靶~9Be(d,n)反应中子角分布 | 第53-54页 |
| 3.4.3 厚靶~9Be(d,n)反应积分中子产额 | 第54-55页 |
| 3.5 厚靶D-Be反应中子源中子特性参数计算数据的不确定度分析 | 第55-59页 |
| 3.5.1 氘束流强度恒定引入的不确定度 | 第56-57页 |
| 3.5.2 阻止本领的不确定度 | 第57-58页 |
| 3.5.3 双微分截面的不确定度 | 第58-59页 |
| 3.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 Be颗粒靶条件下D-Be中子源相关问题的M-C模拟研究 | 第61-77页 |
| 4.1 CMIF斜槽颗粒靶介绍 | 第61-64页 |
| 4.2 MonteCarlo程序简介 | 第64-66页 |
| 4.2.1 MCNPX程序简介 | 第64-65页 |
| 4.2.2 PHITS程序简介 | 第65-66页 |
| 4.3 厚铍颗粒靶的中子学特性和热沉积分布 | 第66-70页 |
| 4.3.1 中子在厚铍颗粒靶中的增殖 | 第66-67页 |
| 4.3.2 厚铍颗粒靶的中子学特性 | 第67-69页 |
| 4.3.3 厚铍颗粒靶中的沉积功率 | 第69-70页 |
| 4.4 靶结构材料的辐照损伤和放射性分析 | 第70-74页 |
| 4.4.1 辐照损伤计算原理 | 第70-71页 |
| 4.4.2 背板的辐照损伤 | 第71-72页 |
| 4.4.3 靶及其结构材料的放射性分析 | 第72-74页 |
| 4.5 铁基样品上的辐照损伤 | 第74-75页 |
| 4.6 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 活化法p-Be反应加速器中子源中子能谱测量研究 | 第77-112页 |
| 5.1 p-Be反应的基本理论 | 第77-78页 |
| 5.2 阈活化法测量中子能谱的基本原理 | 第78-79页 |
| 5.3 活化片及核反应道的选择 | 第79-81页 |
| 5.4 HPGe-γ谱仪测量系统及刻度 | 第81-84页 |
| 5.4.1 HPGe-γ谱仪测量系统简介 | 第81-82页 |
| 5.4.2 HPGe-γ谱仪的能量刻度 | 第82-83页 |
| 5.4.3 HPGe-γ谱仪效率刻度 | 第83-84页 |
| 5.5 活化片辐照实验 | 第84-86页 |
| 5.5.1 p-Be反应加速器中子源及靶系统 | 第84-85页 |
| 5.5.2 活化片辐照过程 | 第85-86页 |
| 5.6 活化片的γ能谱测量 | 第86-88页 |
| 5.7 数据处理 | 第88-98页 |
| 5.7.1 单核饱和反应率及活度计算方法及理论 | 第88-90页 |
| 5.7.2 相关修正 | 第90-93页 |
| 5.7.3 单核反应率实验结果及讨论 | 第93-95页 |
| 5.7.4 辐照结束时刻活化片的放射性比活度实验结果及讨论 | 第95-98页 |
| 5.8 SAND-Ⅱ迭代解谱方法及中子能谱测量结果 | 第98-109页 |
| 5.8.1 SAND-Ⅱ程序及迭代解谱相关理论 | 第98-101页 |
| 5.8.2 迭代解谱相关数据准备 | 第101-105页 |
| 5.8.3 p-Be反应中子能谱实验结果及讨论 | 第105-106页 |
| 5.8.4 少群能谱和总通量实验结果及讨论 | 第106-109页 |
| 5.9 实验数据的不确定度分析 | 第109-111页 |
| 5.9.1 反应截面的不确定度 | 第109页 |
| 5.9.2 初始输入谱的不确定度 | 第109页 |
| 5.9.3 单核饱和反应率的不确定度 | 第109-111页 |
| 5.10 本章小结 | 第111-112页 |
| 第六章 总结和展望 | 第112-116页 |
| 6.1 主要工作总结 | 第112-114页 |
| 6.2 下一步工作的展望 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-122页 |
| 在校期间的科研成果 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
