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~9Be(d,n)和~9Be(p,n)反应加速器中子源中子学特性研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 引言第12-27页
    1.1 研究背景第12-13页
    1.2 中子源类型及特点综述第13-20页
        1.2.1 放射性核素中子源第13-15页
        1.2.2 反应堆中子源第15-16页
        1.2.3 加速器中子源第16-20页
    1.3 聚变堆结构材料用中子源发展现状第20-23页
    1.4 ~~9Be(d,n)反应中子学特性研究现状及进一步研究的必要性第23-25页
    1.5 论文主要研究内容及结构第25-27页
第二章 ~9Be(d,n)反应相关理论及厚靶~9Be(d,n)中子源中子特性参数计算方法..第27-37页
    2.1~~9Be(d,n)反应的基本理论第27-28页
    2.2 薄铍靶中子源中子特性的计算方法第28-30页
        2.2.1 薄铍靶中子能谱的计算方法第28-29页
        2.2.2 薄铍靶中子角分布的计算方法第29页
        2.2.3 薄铍靶积分中子产额的计算方法第29-30页
    2.3 厚铍靶~9Be(d,n)反应中子源中子特性计算方法第30-35页
        2.3.1 第一层薄靶中产生的中子特性参数第31-32页
        2.3.2 第二层薄靶中产生的中子特性参数第32-33页
        2.3.3 第i层薄靶中产生的中子特性参数第33-34页
        2.3.4 厚铍靶的中子能谱、中子角分布以及积分中子产额第34-35页
    2.4 氘离子在厚铍靶中的阻止本领第35-36页
    2.5 本章小结第36-37页
第三章 ~9Be(d,n)反应双微分截面和厚靶~9Be(d,n)中子源中子特性参数计算第37-61页
    3.1 TALYS程序及对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算第37-43页
        3.1.1 TALYS程序简介第37-39页
        3.1.2 采用TALYS程序对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算与检验第39-43页
    3.2 基于TALYS双微分截面的厚靶~9Be(d,n)反应中子能谱计算第43-48页
    3.3 统计模型及对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算第48-51页
        3.3.1 统计模型简介第48-50页
        3.3.2 统计模型对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算第50-51页
    3.4 厚靶~9Be(d,n)反应中子特性参数计算结果第51-55页
        3.4.1 厚靶~9Be(d,n)反应中子能谱第52-53页
        3.4.2 厚靶~9Be(d,n)反应中子角分布第53-54页
        3.4.3 厚靶~9Be(d,n)反应积分中子产额第54-55页
    3.5 厚靶D-Be反应中子源中子特性参数计算数据的不确定度分析第55-59页
        3.5.1 氘束流强度恒定引入的不确定度第56-57页
        3.5.2 阻止本领的不确定度第57-58页
        3.5.3 双微分截面的不确定度第58-59页
    3.6 本章小结第59-61页
第四章 Be颗粒靶条件下D-Be中子源相关问题的M-C模拟研究第61-77页
    4.1 CMIF斜槽颗粒靶介绍第61-64页
    4.2 MonteCarlo程序简介第64-66页
        4.2.1 MCNPX程序简介第64-65页
        4.2.2 PHITS程序简介第65-66页
    4.3 厚铍颗粒靶的中子学特性和热沉积分布第66-70页
        4.3.1 中子在厚铍颗粒靶中的增殖第66-67页
        4.3.2 厚铍颗粒靶的中子学特性第67-69页
        4.3.3 厚铍颗粒靶中的沉积功率第69-70页
    4.4 靶结构材料的辐照损伤和放射性分析第70-74页
        4.4.1 辐照损伤计算原理第70-71页
        4.4.2 背板的辐照损伤第71-72页
        4.4.3 靶及其结构材料的放射性分析第72-74页
    4.5 铁基样品上的辐照损伤第74-75页
    4.6 本章小结第75-77页
第五章 活化法p-Be反应加速器中子源中子能谱测量研究第77-112页
    5.1 p-Be反应的基本理论第77-78页
    5.2 阈活化法测量中子能谱的基本原理第78-79页
    5.3 活化片及核反应道的选择第79-81页
    5.4 HPGe-γ谱仪测量系统及刻度第81-84页
        5.4.1 HPGe-γ谱仪测量系统简介第81-82页
        5.4.2 HPGe-γ谱仪的能量刻度第82-83页
        5.4.3 HPGe-γ谱仪效率刻度第83-84页
    5.5 活化片辐照实验第84-86页
        5.5.1 p-Be反应加速器中子源及靶系统第84-85页
        5.5.2 活化片辐照过程第85-86页
    5.6 活化片的γ能谱测量第86-88页
    5.7 数据处理第88-98页
        5.7.1 单核饱和反应率及活度计算方法及理论第88-90页
        5.7.2 相关修正第90-93页
        5.7.3 单核反应率实验结果及讨论第93-95页
        5.7.4 辐照结束时刻活化片的放射性比活度实验结果及讨论第95-98页
    5.8 SAND-Ⅱ迭代解谱方法及中子能谱测量结果第98-109页
        5.8.1 SAND-Ⅱ程序及迭代解谱相关理论第98-101页
        5.8.2 迭代解谱相关数据准备第101-105页
        5.8.3 p-Be反应中子能谱实验结果及讨论第105-106页
        5.8.4 少群能谱和总通量实验结果及讨论第106-109页
    5.9 实验数据的不确定度分析第109-111页
        5.9.1 反应截面的不确定度第109页
        5.9.2 初始输入谱的不确定度第109页
        5.9.3 单核饱和反应率的不确定度第109-111页
    5.10 本章小结第111-112页
第六章 总结和展望第112-116页
    6.1 主要工作总结第112-114页
    6.2 下一步工作的展望第114-116页
参考文献第116-122页
在校期间的科研成果第122-124页
致谢第124页

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