减小电荷注入的RF MEMS电容式开关的设计和研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 RFMEMS电容开关的失效机理 | 第10-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 MEMS电容开关电荷注入与开关寿命 | 第16-31页 |
| 2.1 无电荷注入时的开关受力分析及下拉电压 | 第16-19页 |
| 2.2 开关的失效临界状态的受力分析 | 第19-23页 |
| 2.2.1 粘附失效与开关寿命 | 第19-21页 |
| 2.2.2 屏蔽失效与驱动电压的偏移 | 第21-23页 |
| 2.3 介质层的电荷传导及电流密度 | 第23-25页 |
| 2.4 电流密度及开关寿命的MATLAB仿真 | 第25-29页 |
| 2.4.1 电流密度与各物理量间的关系 | 第25-27页 |
| 2.4.2 开关寿命与各物理量间的关系 | 第27-29页 |
| 2.4.3 驱动电压偏移量与工作时间的关系 | 第29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 减小介质层电场强度的电容开关结构 | 第31-50页 |
| 3.1 MEMS电容开关的电路模型及其射频特性 | 第31-33页 |
| 3.2 传统结构的MEMS电容开关设计 | 第33-37页 |
| 3.2.1 传统结构开关的射频特性 | 第34-37页 |
| 3.2.2 传统结构开关的电场分布和开关寿命 | 第37页 |
| 3.3 侧下拉电极的开关结构 | 第37-42页 |
| 3.3.1 侧下拉电极开关的射频特性 | 第39-40页 |
| 3.3.2 侧下拉电极开关的电场分布和开关寿命 | 第40-42页 |
| 3.4 信号线中空的开关结构 | 第42-48页 |
| 3.4.1 中空电极结构开关的射频特性 | 第42-45页 |
| 3.4.2 中空电极结构开关的电场分布和开关寿命 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 采用金-石墨烯-金复合梁的低驱动电压开关 | 第50-67页 |
| 4.1 开关梁弹性系数的理论分析 | 第50-53页 |
| 4.2 开关梁的制备工艺 | 第53-59页 |
| 4.2.1 开关梁的加工工艺 | 第53-56页 |
| 4.2.2 加工工艺的改进 | 第56-59页 |
| 4.3 开关梁的测试 | 第59-65页 |
| 4.3.1 表面形貌测试 | 第59-60页 |
| 4.3.2 残余应力测试及梁的弹性系数 | 第60-63页 |
| 4.3.3 伏安特性测试及开关驱动电压 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 附录 | 第73-79页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第79页 |
