| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料 | 第11-14页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物的材料结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物的材料性质 | 第13-14页 |
| 1.3 Ⅲ族氮化物发光器件 | 第14-16页 |
| 1.3.1 Ⅲ族氮化物发光二极管 | 第14-15页 |
| 1.3.2 LED的发光效率 | 第15-16页 |
| 1.4 Ⅲ族氮化物纳米柱结构 | 第16-17页 |
| 1.5 论文结构和研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 纳米柱结构的仿真方法及原理 | 第19-29页 |
| 2.1 引言 | 第19-20页 |
| 2.2 时域有限差分法的原理 | 第20-24页 |
| 2.2.1 麦克斯韦方程 | 第20-21页 |
| 2.2.2 Yee氏有限差分网格 | 第21-24页 |
| 2.3 仿真光源 | 第24-25页 |
| 2.3.1 点光源 | 第24-25页 |
| 2.3.2 平面光源 | 第25页 |
| 2.4 FDTD的边界条件 | 第25-28页 |
| 2.4.1 吸收边界条件 | 第26-27页 |
| 2.4.2 周期性边界条件 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 AlGaN纳米柱的光场分布 | 第29-47页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 仿真结构及参数设置 | 第30页 |
| 3.3 AlGaN材料折射率与铝组分的关系 | 第30-31页 |
| 3.4 纳米柱内外场强与铝组分的关系 | 第31-34页 |
| 3.5 AlGaN纳米柱内外场强与尺寸的关系 | 第34-39页 |
| 3.5.1 纳米柱内外场强与直径的关系 | 第34-35页 |
| 3.5.2 纳米柱内外场强与高度的关系 | 第35-36页 |
| 3.5.3 纳米柱内外场强与直径高度二元参数的关系 | 第36-39页 |
| 3.6 AlGaN纳米圆波导模式与直径的关系 | 第39-41页 |
| 3.7 金属薄膜AlGaN纳米柱的光场分布 | 第41-46页 |
| 3.7.1 表面等离激元 | 第41页 |
| 3.7.2 仿真结构及参数设置 | 第41-42页 |
| 3.7.3 纳米柱内外场强与金属薄膜厚度的关系 | 第42-44页 |
| 3.7.4 纳米柱内部场强与铝薄膜纳米柱尺寸的关系 | 第44-46页 |
| 3.8 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 AlGaN纳米柱的提取效率 | 第47-57页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 仿真结构及参数设置 | 第47-48页 |
| 4.3 提取效率与纳米柱高度的关系 | 第48-51页 |
| 4.4 提取效率与纳米柱直径的关系 | 第51-54页 |
| 4.4.1 固定周期下提取效率与直径的关系 | 第51-52页 |
| 4.4.2 固定占空比下提取效率与直径的关系 | 第52-54页 |
| 4.5 固定直径下提取效率与周期的关系 | 第54-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及参加学术会议 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |