| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 陶瓷与金属扩散连接存在的问题 | 第10-12页 |
| 1.2.1 陶瓷/金属扩散连接主要存在的问题 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Si C/Ti扩散连接接头反应产物 | 第11-12页 |
| 1.3 场致扩散连接的研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3.1 场致扩散连接装置及原理 | 第13-15页 |
| 1.3.2 场致扩散连接的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 电场在材料科学领域中的应用研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4.1 交流电场在材料科学领域中的应用 | 第17-18页 |
| 1.4.2 脉冲电场在材料科学领域中的应用 | 第18-20页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 材料及试验方法 | 第21-32页 |
| 2.1 试验材料 | 第21-23页 |
| 2.2 试验设备与工艺 | 第23-29页 |
| 2.2.1 试验设备 | 第23-24页 |
| 2.2.2 扩散连接工艺 | 第24-27页 |
| 2.2.3 具体试验参数 | 第27-29页 |
| 2.3 性能测试及微观组织结构分析 | 第29-32页 |
| 2.3.1 力学性能测试 | 第29-30页 |
| 2.3.2 组织结构分析方法 | 第30-32页 |
| 第3章 交流电场作用下SiC与Ti扩散连接接头的组织结构和力学性能 | 第32-51页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 最佳交流电压的探索 | 第32-40页 |
| 3.2.1 交流电场对离子流的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.2 交流电场对接头显微组织的影响 | 第34-37页 |
| 3.2.3 交流电场对接头力学性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.3 交流电场叠加静电场作用下Si C/Ti接头组织与性能 | 第40-43页 |
| 3.4 交流电场作用下Si C/Ti接头微观结构与断裂机理分析 | 第43-49页 |
| 3.4.1 反应层相组成分析 | 第43-46页 |
| 3.4.2 断口形貌分析 | 第46-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 脉冲电场作用下SiC与Ti扩散连接工艺及接头组织性能 | 第51-74页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 脉冲电场工艺的探索 | 第51-53页 |
| 4.3 脉冲电场对接头显微组织的影响 | 第53-60页 |
| 4.3.1 脉冲占空比对接头显微组织的影响 | 第53-56页 |
| 4.3.2 脉冲频率对接头显微组织的影响 | 第56-58页 |
| 4.3.3 脉冲幅度对接头显微组织的影响 | 第58-60页 |
| 4.4 脉冲电场对接头力学性能的影响 | 第60-64页 |
| 4.4.1 脉冲占空比对接头力学性能的影响 | 第60-62页 |
| 4.4.2 脉冲频率对接头力学性能的影响 | 第62-63页 |
| 4.4.3 脉冲幅度对接头力学性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.5 脉冲电场作用下Si C/Ti界面微观结构分析 | 第64-69页 |
| 4.6 脉冲电场作用下Si C/Ti扩散连接接头断裂机理分析 | 第69-72页 |
| 4.7 本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 脉冲电场和交流电场作用下SiC与Ti扩散连接机理 | 第74-84页 |
| 5.1 引言 | 第74页 |
| 5.2 电场作用下SiC与Ti扩散连接动力学分析 | 第74-76页 |
| 5.3 电场对SiC/Ti扩散连接的影响 | 第76-77页 |
| 5.4 SiC与Ti扩散连接界面反应热力学分析 | 第77-80页 |
| 5.5 SiC/Ti扩散连接界面形成过程 | 第80-83页 |
| 5.6 本章小结 | 第83-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-91页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
