| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 黑硅的发现及研究意义 | 第10-12页 |
| 1.2 黑硅材料制备方案 | 第12-19页 |
| 1.2.1 飞秒激光辐照法 | 第12-16页 |
| 1.2.2 反应粒子刻蚀法 | 第16-17页 |
| 1.2.3 化学腐蚀法 | 第17-19页 |
| 1.3 黑硅材料表面微纳结构特性 | 第19-24页 |
| 1.3.1 光学特性 | 第19-22页 |
| 1.3.2 表面疏水特性 | 第22-24页 |
| 1.4 黑硅课题的研究意义 | 第24页 |
| 1.5 课题的主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验原理、工艺及测试 | 第26-34页 |
| 2.1 实验原理 | 第26-29页 |
| 2.1.1 化学刻蚀制备原理 | 第26-28页 |
| 2.1.2 飞秒激光辐照法制备原理 | 第28-29页 |
| 2.2 实验材料 | 第29-30页 |
| 2.3 制备工艺 | 第30-31页 |
| 2.4 测试方案 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 黑硅材料的制备、表征及特性研究 | 第34-46页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 黑硅材料的制备及形貌表征 | 第35-41页 |
| 3.2.1 湿法刻蚀法制备黑硅 | 第35-39页 |
| 3.2.2 飞秒激光辐照制备黑硅 | 第39-41页 |
| 3.3 黑硅吸收性能的测试及对比 | 第41-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 金属粒子辅助化学刻蚀制备黑硅材料的表面浸润性研究 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 疏水性黑硅材料的制备 | 第47-51页 |
| 4.3 黑硅疏水机理的理论研究 | 第51-52页 |
| 4.4 黑硅材料的陷光结构 | 第52-55页 |
| 4.5 黑硅表面除金原理 | 第55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 黑硅光电探测器的制备及性能研究 | 第56-64页 |
| 5.1 光电探测器的工作原理 | 第56-57页 |
| 5.2 黑硅光电探测器的电极制备 | 第57-60页 |
| 5.3 黑硅光电探测器器件性能的测试 | 第60-63页 |
| 5.3.1 MSM器件结构的I-V特性曲线 | 第60-61页 |
| 5.3.2 N+/N型器件结构的I-V特性曲线 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 总结 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第72-73页 |