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动态偏置下ET功放的非线性特性研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-19页
    1.1 课题背景及意义第9-10页
    1.2 基站功放第10-14页
        1.2.1 多载波传输信号的PAPR第11-12页
        1.2.2 高峰均比下的高效功放第12-14页
            1.2.2.1 Doherty功放第12-13页
            1.2.2.2 Outphasing功放第13-14页
            1.2.2.3 EER功放第14页
    1.3 ET功放原理第14-17页
    1.4 本文内容与结构安排第17-19页
第二章 ET功放物理非线性研究第19-40页
    2.1 FET的电热模型第19-21页
        2.1.1 FET的物理模型第19-20页
        2.1.2 FET的热效应第20-21页
    2.2 固定偏置下的功放非线性分析第21-26页
        2.2.1 固定偏置功放的AM-AM与AM-PM特性第21-22页
        2.2.2 固定偏置功放的记忆效应第22-26页
            2.2.2.1 电记忆效应第24-25页
            2.2.2.2 热记忆效应第25-26页
            2.2.2.3 记忆效应的补偿第26页
    2.3 动态偏置下的功放非线性第26-39页
        2.3.1 ET小功率放大器的非线性特性第27-31页
        2.3.2 ET大功率放大器的非线性特性第31-35页
        2.3.3 信号带宽与记忆效应第35-36页
        2.3.4 ET功放的时延带来的非线性第36-38页
        2.3.5 ET功放优化设计方法第38-39页
    2.4 小结第39-40页
第三章 ET功放包络成形研究第40-53页
    3.1 ET大功率放大器电路设计第40-41页
    3.2 固定增益成形第41-43页
    3.3 固定压缩点成形第43-45页
    3.4 最大效率成形第45-47页
    3.5 包络提取与降带宽技术第47-51页
    3.6 小结第51-53页
第四章 ET功放的数字预失真第53-75页
    4.1 功放模型与预失真算法第53-58页
        4.1.1 记忆多项式模型第54-55页
        4.1.2 神经网络模型第55-56页
        4.1.3 预失真算法第56-58页
            4.1.3.1 RLS算法第56-57页
            4.1.3.2 BP算法第57-58页
    4.2 ET功放数字预失真硬件平台第58-63页
        4.2.1 上变频模块第59-60页
        4.2.2 下变频模块第60-61页
        4.2.3 时钟和本振模块第61-62页
        4.2.4 FPGA与数模转换模块第62页
        4.2.5 ET功放数字预失真结构框图第62-63页
    4.3 ET功放建模第63-69页
        4.3.1 记忆多项式模型第63-66页
        4.3.2 改进的记忆多项式模型第66-67页
        4.3.3 神经网络模型第67-69页
    4.4 ET功放数字预失真第69-74页
        4.4.1 记忆多项式预失真第70-74页
    4.5 小节第74-75页
第五章 全文总结与展望第75-76页
致谢第76-77页
参考文献第77-80页
攻读硕士学位期间取得的成果第80-81页

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