| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 纳米材料概述 | 第10-12页 |
| 1.1.1 纳米材料的定义与分类 | 第10页 |
| 1.1.2 纳米材料的基本特征 | 第10-12页 |
| 1.2 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶概述 | 第12-17页 |
| 1.2.1 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶介绍 | 第12-13页 |
| 1.2.2 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.2.3 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶的应用 | 第15-17页 |
| 1.3 计算机模拟技术介绍 | 第17-18页 |
| 1.4 本文研究意义与内容 | 第18-20页 |
| 第2章 实验设备与原理 | 第20-26页 |
| 2.1 多功能作用光谱仪介绍 | 第20-23页 |
| 2.1.1 多功能作用光谱仪系统组成 | 第20-21页 |
| 2.1.2 表面光电压测试原理 | 第21-22页 |
| 2.1.3 场诱导表面光电压测试原理 | 第22页 |
| 2.1.4 表面光电压应用 | 第22-23页 |
| 2.2 结构与成分表征技术 | 第23-25页 |
| 2.2.1 X 射线衍射 | 第23页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.2.3 傅里叶变换红外光谱 | 第24页 |
| 2.2.4 拉曼散射 | 第24-25页 |
| 2.3 光学性能的测试仪器 | 第25-26页 |
| 2.3.1 紫外-可见吸收光谱 | 第25页 |
| 2.3.2 光致发光光谱 | 第25-26页 |
| 第3章 ZnSe 纳米晶制备与表征 | 第26-48页 |
| 3.1 ZnSe 纳米晶的制备 | 第26-28页 |
| 3.1.1 实验仪器与原料 | 第26-27页 |
| 3.1.2 硒化锌纳米晶的制备步骤 | 第27-28页 |
| 3.2 正交试验结果分析 | 第28-31页 |
| 3.3 TGA 为配体修饰 ZnSe 纳米晶的表征 | 第31-36页 |
| 3.3.1 XRD 分析 | 第31-32页 |
| 3.3.2 TEM、HRTEM 和 SAED 分析 | 第32-33页 |
| 3.3.3 FT-IR 分析 | 第33-34页 |
| 3.3.4 Raman 分析 | 第34-35页 |
| 3.3.5 UV-Vis 分析 | 第35-36页 |
| 3.4 回流时间变量对 ZnSe 量子点的影响 | 第36-39页 |
| 3.4.1 XRD 分析 | 第36-37页 |
| 3.4.2 SPS 分析 | 第37-38页 |
| 3.4.3 UV-Vis 分析 | 第38-39页 |
| 3.5 不同配体修饰的 ZnSe 纳米晶对比分析 | 第39-47页 |
| 3.5.1 XRD 分析 | 第39-40页 |
| 3.5.2 FT-IR 分析 | 第40-42页 |
| 3.5.3 PL 分析 | 第42-43页 |
| 3.5.4 SPS 与 EFISPS | 第43-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 掺硫 ZnSe 晶体结构与性能模拟 | 第48-54页 |
| 4.1 模型的建立 | 第48-49页 |
| 4.2 参数设置 | 第49-50页 |
| 4.3 计算结果分析 | 第50-53页 |
| 4.3.1 ZnSe (110)表面掺 S 的电子结构分析 | 第50-53页 |
| 4.3.2 ZnSe(110)表面掺 S 的光学性质分析 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 作者简介 | 第62页 |
