| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 前言 | 第9-27页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.1.1 超导颗粒膜 | 第10-11页 |
| 1.2 超导颗粒膜的超导-绝缘体转变 | 第11-15页 |
| 1.2.1 超导-绝缘体转变的临界方块电阻 | 第11-14页 |
| 1.2.2 准重入现象 | 第14-15页 |
| 1.3 超导颗粒膜的临界磁场 | 第15-20页 |
| 1.3.1 超导颗粒膜的临界磁场的理论解释 | 第17-18页 |
| 1.3.2 超导颗粒膜的临界磁场 | 第18-20页 |
| 1.4 绝缘区的超导颗粒膜的电学性质 | 第20-24页 |
| 1.4.1 超绝缘体的局部超导 | 第21-22页 |
| 1.4.2 超绝缘体的电输运机制 | 第22-24页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第24-27页 |
| 第2章 样品的制备与表征 | 第27-37页 |
| 2.1 Pb-SiO_2颗粒膜的制备 | 第27-29页 |
| 2.1.1 磁控溅射基本原理 | 第27-28页 |
| 2.1.2 样品的制备过程 | 第28-29页 |
| 2.2 样品的表征方法 | 第29-32页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第29页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第29-31页 |
| 2.2.3 选区电子衍射 | 第31页 |
| 2.2.4 X射线能谱 | 第31-32页 |
| 2.2.5 X射线衍射 | 第32页 |
| 2.3 电学性质的表征 | 第32-34页 |
| 2.3.1 物理性质测量系统 | 第32-33页 |
| 2.3.2 四点法测量样品电阻 | 第33-34页 |
| 2.4 磁性测量系统 | 第34-37页 |
| 第3章 Pb-SiO_2颗粒膜的超导电性 | 第37-55页 |
| 3.1 Pb金属体积分数的确定 | 第37-39页 |
| 3.2 Pb-SiO_2颗粒膜的微观形貌及结构分析 | 第39-42页 |
| 3.2.1 TEM图像 | 第39-41页 |
| 3.2.2 XRD结果分析与讨论 | 第41-42页 |
| 3.3 Pb-SiO_2颗粒膜的超导-绝缘体转变 | 第42-45页 |
| 3.3.1 超导-绝缘体转变现象以及分析 | 第43-44页 |
| 3.3.2 超导-绝缘体转变的临界金属体积分数 | 第44-45页 |
| 3.3.3 超导-绝缘体转变的临界电阻 | 第45页 |
| 3.4 Pb-SiO_2颗粒膜的超导转变温度 | 第45-46页 |
| 3.5 Pb-SiO_2颗粒膜的超导临界磁场 | 第46-53页 |
| 3.5.1 磁场对超导性质的影响 | 第47-49页 |
| 3.5.2 超导临界磁场与温度的关系 | 第49-52页 |
| 3.5.3 Pb-SiO_2颗粒膜的磁性质 | 第52-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 Pb-SiO_2颗粒膜的局域超导 | 第55-67页 |
| 4.1 单个超导金属颗粒 | 第55-57页 |
| 4.2 绝缘样品的电输运机制 | 第57-60页 |
| 4.3 磁场对超绝缘现象的影响 | 第60-62页 |
| 4.4 准重入样品的局域临界磁场 | 第62-64页 |
| 4.5 超绝缘样品的磁电阻 | 第64-66页 |
| 4.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |