InP/GaAs外延生长与GaAsP/Si双结太阳能电池设计
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-14页 |
| 1.2 InP/GaAs异变外延研究现状 | 第14-18页 |
| 1.3 太阳能电池的研究进展 | 第18-22页 |
| 1.3.1 太阳能电池的发展历史 | 第18-19页 |
| 1.3.2 GaAsP太阳能电池的发展 | 第19-22页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-28页 |
| 第二章 外延材料的制备及表征 | 第28-36页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积 | 第28-30页 |
| 2.2 外延层质量表征技术 | 第30-33页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第30-32页 |
| 2.2.2 双晶X射线衍射仪 | 第32页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第32-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 太阳能电池理论与设计 | 第36-50页 |
| 3.1 太阳能电池基本知识 | 第36-42页 |
| 3.1.1 太阳能电池的工作原理 | 第36-39页 |
| 3.1.2 太阳能电池的基本特性参数 | 第39-41页 |
| 3.1.3 太阳辐射光谱 | 第41-42页 |
| 3.2 太阳能电池的模拟和设计 | 第42-46页 |
| 3.2.1 AMPS软件介绍 | 第42-43页 |
| 3.2.2 AMPS软件的算法及使用 | 第43-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 第四章 InP/GaAs侧向异变外延生长研究 | 第50-70页 |
| 4.1 纳米图形衬底结构的设计 | 第50-52页 |
| 4.2 纳米图形衬底的制备技术 | 第52-56页 |
| 4.2.1 掩膜沉积 | 第52-53页 |
| 4.2.2 光刻 | 第53-54页 |
| 4.2.3 刻蚀 | 第54-56页 |
| 4.3 纳米图形衬底的表面处理 | 第56-58页 |
| 4.3.1 窗口区域的SiO_2 | 第56页 |
| 4.3.2 残留光刻胶的去除 | 第56-57页 |
| 4.3.3 空气中尘埃的去除 | 第57-58页 |
| 4.4 InP/GaAs侧向异变外延生长 | 第58-65页 |
| 4.4.1 生长方案的设计与优化 | 第58-60页 |
| 4.4.2 1.8μm InP外延层的生长 | 第60-64页 |
| 4.4.3 500nm InP外延层的生长 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 第五章 GaAsP/Si太阳能电池设计与仿真 | 第70-80页 |
| 5.1 晶体Si太阳电池仿真计算 | 第70-73页 |
| 5.2 GaAsP/Si双结太阳能电池仿真计算 | 第73-78页 |
| 5.2.1 模型建立 | 第73-74页 |
| 5.2.2 理论计算方法 | 第74-76页 |
| 5.2.3 结果与讨论 | 第76-78页 |
| 5.3 本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第六章 总结和展望 | 第80-82页 |
| 6.1 总结 | 第80页 |
| 6.2 展望 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第84页 |
