| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-60页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 氧化镓材料简介 | 第13-25页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 基本物性 | 第15-16页 |
| 1.2.3 材料制备 | 第16-25页 |
| 1.3 氧化外延薄膜的应用前景及研究进展 | 第25-45页 |
| 1.3.1 日盲-紫外光电探测器 | 第26-37页 |
| 1.3.2 场效应晶体管 | 第37-44页 |
| 1.3.3 其它 | 第44-45页 |
| 1.4 本论文的研究内容及结构安排 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-60页 |
| 第二章 实验方法及表征手段 | 第60-66页 |
| 2.1 引言 | 第60页 |
| 2.2 薄膜的外延生长方法 | 第60-63页 |
| 2.2.1 激光分子束外延 | 第61-62页 |
| 2.2.2 磁控溅射 | 第62-63页 |
| 2.3 氧化镓薄膜的表征与测试 | 第63页 |
| 2.4 本章小结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第三章 氧化镓外延薄膜的可控生长与表征 | 第66-107页 |
| 3.1 引言 | 第66页 |
| 3.2 磁控溅射法生长β-Ga_2O_3外延薄膜 | 第66-72页 |
| 3.2.1 薄膜生长的实验流程 | 第66-67页 |
| 3.2.2 衬底温度对薄膜晶体结构的影响 | 第67-70页 |
| 3.2.3 退火对薄膜晶体结构的影响 | 第70页 |
| 3.2.4 生长温度、热退火对薄膜光学性质的影响 | 第70-72页 |
| 3.3 磁控溅射法生长γ-Ga_2O_3外延薄膜 | 第72-77页 |
| 3.3.1 薄膜生长 | 第72-73页 |
| 3.3.2 薄膜表征 | 第73-75页 |
| 3.3.3 成分及键态分析 | 第75-76页 |
| 3.3.4 薄膜的光学性能 | 第76-77页 |
| 3.4 Al掺杂β-Ga_2O_3外延薄膜生长 | 第77-81页 |
| 3.4.1 薄膜生长 | 第77-78页 |
| 3.4.2 薄膜表征 | 第78-80页 |
| 3.4.3 薄膜的光学性能 | 第80-81页 |
| 3.5 β-Ga_2O_3:Al_2O_3纳米线薄膜的生长 | 第81-85页 |
| 3.5.1 纳米线薄膜的生长及机理分析 | 第81-82页 |
| 3.5.2 纳米线薄膜的表征 | 第82-85页 |
| 3.5.3 纳米线薄膜的光学性质 | 第85页 |
| 3.6 (Ga_(1-x-y)Fe_xAl_y)_2O_3薄膜的生长 | 第85-96页 |
| 3.6.1 薄膜生长 | 第86页 |
| 3.6.2 不同Fe组分的(Ga_(1-x-y)Fe_xAl_y)_2O_3薄膜的生长 | 第86-92页 |
| 3.6.3 退火温度对Ga_2O_3/Fe_2O_3多层薄膜晶体结构的影响 | 第92-93页 |
| 3.6.4 光学性质 | 第93-96页 |
| 3.7 β-Ga_2O_(3/γ)-In_2O_3外延薄膜生长 | 第96-101页 |
| 3.7.1 In_2O_3薄膜外延生长 | 第96-97页 |
| 3.7.2 Ga_2O_3/In_2O_3双层膜的生长 | 第97-99页 |
| 3.7.3 In_2O_3及Ga_2O_3/In_2O_3薄膜的光学性质 | 第99-101页 |
| 3.8 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-107页 |
| 第四章 氧化镓外延薄膜的日盲光电性能 | 第107-126页 |
| 4.1 引言 | 第107页 |
| 4.2 生长温度对β-Ga_2O_3薄膜光电性能的影响 | 第107-111页 |
| 4.2.1 器件制备 | 第108页 |
| 4.2.2 日盲光电性能 | 第108-111页 |
| 4.2.3 光电性能分析 | 第111页 |
| 4.3 热退火对β-Ga_2O_3薄膜日盲光电性能的影响 | 第111-114页 |
| 4.3.1 日盲光电性能 | 第112-114页 |
| 4.3.2 光电性能分析 | 第114页 |
| 4.4 γ-Ga_2O_3薄的日盲光电性能 | 第114-119页 |
| 4.4.1 日盲光电性能 | 第115-118页 |
| 4.4.2 光电性能分析 | 第118-119页 |
| 4.5 β-Ga_2PO_3:Al_2O_3纳米线薄膜的光电性能 | 第119-122页 |
| 4.5.1 日盲光电性能 | 第119-121页 |
| 4.5.2 光电性能分析 | 第121-122页 |
| 4.6 本章小结 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-126页 |
| 第五章 氧化镓外延薄膜的电学性能研究 | 第126-139页 |
| 5.1 引言 | 第126页 |
| 5.2 氧化铟阴极层对氧化镓薄膜光电性能的影响 | 第126-131页 |
| 5.2.1 In_2O_3薄膜的电学性质 | 第127-128页 |
| 5.2.2 β-Ga_2O_3/In_2O_3双层膜的电学性能 | 第128-130页 |
| 5.2.3 电学性能的调制机理 | 第130-131页 |
| 5.3 (Ga_(1-x-y)Fe_xAl_y)_2O_3薄膜的电学性能 | 第131-134页 |
| 5.3.1 Fe掺杂浓度对薄膜电学性能的影响 | 第132-133页 |
| 5.3.2 退火温度对Ga_2O_3/Fe_2O_3多层膜电学性能的影响 | 第133-134页 |
| 5.4 β-Ga_2O_3/In_2O_3双层膜及Ga_2O_3/Fe_2O_3多层膜应用于MOSFET | 第134-135页 |
| 5.5 本章小结 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-139页 |
| 第六章 氧化镓薄膜基日盲-紫外光电晶体管 | 第139-151页 |
| 6.1 引言 | 第139页 |
| 6.2 氧化镓薄膜基日盲-紫外光电晶体管的工作原理 | 第139-140页 |
| 6.3 背栅极氧化镓薄膜基日盲-紫外光电晶体管 | 第140-145页 |
| 6.3.1 器件制备 | 第140页 |
| 6.3.2 器件性能 | 第140-145页 |
| 6.4 顶栅极氧化稼薄膜基日盲-紫外光晶体管 | 第145-148页 |
| 6.4.1 器件制备 | 第145页 |
| 6.4.2 器件性能 | 第145-148页 |
| 6.5 本章小结 | 第148-149页 |
| 参考文献 | 第149-151页 |
| 第七章 总结与展望 | 第151-156页 |
| 7.1 总结 | 第151-154页 |
| 7.2 展望 | 第154-156页 |
| 致谢 | 第156-158页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果列表 | 第158-160页 |
| 一、学术论文 | 第158-160页 |
| 二、参加的会议 | 第160页 |
