摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-17页 |
1.1 铜铟硒太阳能电池缓冲层及窗口层的结构和特点 | 第10-12页 |
1.2 ZnS 及 ZnO 薄膜工艺研究进展及发展前景 | 第12-15页 |
1.2.1 ZnO 及 ZnS 薄膜的研究进展 | 第12-14页 |
1.2.2 ZnO 及 ZnS 薄膜的发展前景 | 第14-15页 |
1.3 本课题的研究目的及主要内容 | 第15-17页 |
1.3.1 本课题的研究目的 | 第15页 |
1.3.2 本课题的主要研究内容 | 第15-17页 |
第2章 实验方法及测试手段 | 第17-28页 |
2.1 实验设计 | 第17-21页 |
2.1.1 实验所需原料及设备 | 第17-18页 |
2.1.2 实验方案 | 第18-19页 |
2.1.3 实验工艺流程 | 第19-21页 |
2.2 实验原理 | 第21-25页 |
2.2.1 电沉积 ZnO 机理 | 第21-23页 |
2.2.2 电沉积 ZnS 机理 | 第23页 |
2.2.3 薄膜禁带宽度的计算 | 第23-25页 |
2.3 测试方法 | 第25-27页 |
2.3.1 X 射线衍射(XRD)分析 | 第25页 |
2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)及能谱(EDS)分析 | 第25页 |
2.3.3 原子力显微镜(AFM)分析 | 第25-26页 |
2.3.4 X 射线光电子光谱(XPS)分析 | 第26页 |
2.3.5 紫外-可见分光光度测试 | 第26页 |
2.3.6 电学性能测试 | 第26页 |
2.3.7 冷热探针实验 | 第26-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第3章 电沉积 ZnO 薄膜及其性能分析 | 第28-34页 |
3.1 电沉积 ZnO 薄膜最优工艺的确定 | 第28-30页 |
3.2 ZnO 薄膜性能测试分析 | 第30-33页 |
3.2.1 X 射线衍射(XRD)分析 | 第30-31页 |
3.2.2 薄膜半导体类型分析 | 第31页 |
3.2.3 薄膜表面形貌分析 | 第31-33页 |
3.2.4 紫外-可见分光光度测试分析 | 第33页 |
3.3 本章小结 | 第33-34页 |
第4章 电沉积 ZnS 薄膜及其性能分析 | 第34-44页 |
4.1 电沉积法制备 ZnS 薄膜的单因素实验 | 第34-40页 |
4.1.1 单因素实验设计 | 第34-36页 |
4.1.2 单因素实验结果分析 | 第36-40页 |
4.2 电沉积法制备 ZnS 薄膜性能分析 | 第40-42页 |
4.2.1 X 射线衍射(XRD)分析 | 第40页 |
4.2.2 薄膜半导体类型分析 | 第40-41页 |
4.2.3 薄膜表面形貌分析 | 第41页 |
4.2.4 薄膜表面成分与结构分析 | 第41-42页 |
4.2.5 紫外-可见分光光度分析 | 第42页 |
4.3 本章小结 | 第42-44页 |
结论 | 第44-46页 |
参考文献 | 第46-49页 |
附录 | 第49-55页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第55-56页 |
致谢 | 第56页 |