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铜铟硒太阳能电池缓冲层及窗口层的制备

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-17页
    1.1 铜铟硒太阳能电池缓冲层及窗口层的结构和特点第10-12页
    1.2 ZnS 及 ZnO 薄膜工艺研究进展及发展前景第12-15页
        1.2.1 ZnO 及 ZnS 薄膜的研究进展第12-14页
        1.2.2 ZnO 及 ZnS 薄膜的发展前景第14-15页
    1.3 本课题的研究目的及主要内容第15-17页
        1.3.1 本课题的研究目的第15页
        1.3.2 本课题的主要研究内容第15-17页
第2章 实验方法及测试手段第17-28页
    2.1 实验设计第17-21页
        2.1.1 实验所需原料及设备第17-18页
        2.1.2 实验方案第18-19页
        2.1.3 实验工艺流程第19-21页
    2.2 实验原理第21-25页
        2.2.1 电沉积 ZnO 机理第21-23页
        2.2.2 电沉积 ZnS 机理第23页
        2.2.3 薄膜禁带宽度的计算第23-25页
    2.3 测试方法第25-27页
        2.3.1 X 射线衍射(XRD)分析第25页
        2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)及能谱(EDS)分析第25页
        2.3.3 原子力显微镜(AFM)分析第25-26页
        2.3.4 X 射线光电子光谱(XPS)分析第26页
        2.3.5 紫外-可见分光光度测试第26页
        2.3.6 电学性能测试第26页
        2.3.7 冷热探针实验第26-27页
    2.4 本章小结第27-28页
第3章 电沉积 ZnO 薄膜及其性能分析第28-34页
    3.1 电沉积 ZnO 薄膜最优工艺的确定第28-30页
    3.2 ZnO 薄膜性能测试分析第30-33页
        3.2.1 X 射线衍射(XRD)分析第30-31页
        3.2.2 薄膜半导体类型分析第31页
        3.2.3 薄膜表面形貌分析第31-33页
        3.2.4 紫外-可见分光光度测试分析第33页
    3.3 本章小结第33-34页
第4章 电沉积 ZnS 薄膜及其性能分析第34-44页
    4.1 电沉积法制备 ZnS 薄膜的单因素实验第34-40页
        4.1.1 单因素实验设计第34-36页
        4.1.2 单因素实验结果分析第36-40页
    4.2 电沉积法制备 ZnS 薄膜性能分析第40-42页
        4.2.1 X 射线衍射(XRD)分析第40页
        4.2.2 薄膜半导体类型分析第40-41页
        4.2.3 薄膜表面形貌分析第41页
        4.2.4 薄膜表面成分与结构分析第41-42页
        4.2.5 紫外-可见分光光度分析第42页
    4.3 本章小结第42-44页
结论第44-46页
参考文献第46-49页
附录第49-55页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第55-56页
致谢第56页

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