| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 Al_xGa_(1-x)N材料概述 | 第8-10页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第8-9页 |
| 1.2.2 Al_xGa_(1-x)N的性质 | 第9页 |
| 1.2.3 Al_xGa_(1-x)N的研究进展及应用 | 第9-10页 |
| 1.3 本论文的选题意义和研究内容 | 第10-14页 |
| 第二章 GaN和AlN的制备方法及表征技术 | 第14-24页 |
| 2.1 氮化镓材料介绍 | 第14-15页 |
| 2.2 氮化镓材料的制备方法 | 第15-18页 |
| 2.3 氮化铝材料的介绍 | 第18-19页 |
| 2.4 氮化铝材料的制备方法 | 第19-21页 |
| 2.5 样品的表征方法及性能测试技术 | 第21-23页 |
| 2.5.1 金相光学显微镜 | 第21页 |
| 2.5.2 X射线衍射分析仪(XRD) | 第21页 |
| 2.5.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第21-22页 |
| 2.5.4 能量色散型X射线荧光分析仪(EDS) | 第22页 |
| 2.5.5 发光特性的测试 | 第22页 |
| 2.5.6 光学特性的测试 | 第22页 |
| 2.5.7 电学性能的测试 | 第22-23页 |
| 2.6 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 GaN材料的制备及表征 | 第24-34页 |
| 3.1 实验设计 | 第24-29页 |
| 3.1.1 实验药品和实验仪器 | 第24-26页 |
| 3.1.2 衬底的选择及清洗步骤 | 第26-27页 |
| 3.1.3 溶胶的制备 | 第27-28页 |
| 3.1.4 涂镀 | 第28页 |
| 3.1.5 预处理 | 第28页 |
| 3.1.6 高温氨化 | 第28-29页 |
| 3.2 GaN的表征与分析 | 第29-33页 |
| 3.3 氮化镓(GaN)纳米线的生长机理 | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 AlN粉体和Al_xGa_(1-x)N的制备及表征 | 第34-52页 |
| 4.1 氮化铝(AlN)的制备及表征 | 第34-36页 |
| 4.1.1 氮化铝(AlN)的生长机理 | 第34页 |
| 4.1.2 实验设计 | 第34-35页 |
| 4.1.3 AlN粉体的表征与分析 | 第35-36页 |
| 4.2 Al_xGa_(1-x)N的制备及光电性能的研究 | 第36-50页 |
| 4.2.1 铝镓氮材料的制备 | 第36-37页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第37-38页 |
| 4.2.3 反应产物的XRD分析 | 第38-42页 |
| 4.2.4 反应产物的SEM分析 | 第42-46页 |
| 4.2.5 Al_xGa_(1-x)N的光学性能的测试 | 第46-47页 |
| 4.2.6 Al_xGa_(1-x)N的光致发光 | 第47-49页 |
| 4.2.7 Al_xGa_(1-x)N电学性能的测试 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 Al_xGa_(1-x)N材料的第一性原理计算 | 第52-64页 |
| 5.1 第一性原理介绍 | 第52-53页 |
| 5.2 密度泛函理论(DFT) | 第53-55页 |
| 5.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第53页 |
| 5.2.2 Kohn-Sham方程 | 第53-54页 |
| 5.2.3 交换关联能量 | 第54-55页 |
| 5.3 CASTEP软件简介 | 第55页 |
| 5.4 模型建立和计算方法 | 第55-57页 |
| 5.5 计算结果分析 | 第57-62页 |
| 5.6 本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
