| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第13-14页 |
| 1.2 MIT晶体材料的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.3 表面处理工艺对MIT晶体价带结构和功函数的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.3.1 表面处理工艺对MIT晶体价带结构的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3.2 MIT晶体功函数的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4 M/S肖特基接触及载流子传输理论模型的研究进展 | 第17-23页 |
| 1.4.1 M/S界面肖特基势垒理论模型的研究 | 第17-20页 |
| 1.4.2 M/S界面肖特基接触载流子传输机制影响的研究 | 第20-23页 |
| 1.5 肖特基接触电学特性及其影响因素的研究进展 | 第23-30页 |
| 1.5.1 钝化、中间层对肖特基接触电学特性影响的研究进展 | 第23-25页 |
| 1.5.2 辐照对肖特基接触电学特性影响的研究进展 | 第25-28页 |
| 1.5.3 金属与MIT肖特基接触电学特性的研究进展 | 第28-30页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第30-31页 |
| 第2章 实验内容与方法 | 第31-41页 |
| 2.1 MIT晶片的表面处理及表征 | 第31-33页 |
| 2.1.1 MIT晶片结构表征 | 第31-32页 |
| 2.1.2 MIT晶片价带结构和功函数测试 | 第32-33页 |
| 2.2 钝化、引入中间层后Au/n-MIT肖特基接触制备 | 第33-34页 |
| 2.2.1 MIT晶体的表面钝化及表征 | 第33页 |
| 2.2.2 中间层的制备及表征 | 第33-34页 |
| 2.2.3 中间层/MIT接触界面元素化学态及浓度的表征 | 第34页 |
| 2.2.4 Au/n-MIT和Au/中间层/n-MIT肖特基接触结构制备 | 第34页 |
| 2.3 中间层/MIT异质结的界面特性及带阶表征 | 第34-35页 |
| 2.4 Au/n-MIT肖特基接触电学特性测试 | 第35-37页 |
| 2.4.1 Au/中间层/n-MIT肖特基接触电学性能的测试 | 第35页 |
| 2.4.2 Au/中间层/n-MIT肖特基势垒计算方法 | 第35-37页 |
| 2.5 Au/n-MIT肖特基的变温Ⅰ-Ⅴ-T测试及其界面缺陷能级测试 | 第37页 |
| 2.6 MIT晶体和Au/n-MIT肖特基接触的辐照实验 | 第37-41页 |
| 2.6.1 MIT晶体电学性能参数测试 | 第37-38页 |
| 2.6.2 MIT晶体红外透过性能测试 | 第38页 |
| 2.6.3 MIT晶体和Au/n-MIT肖特基接触辐照实验 | 第38-41页 |
| 第3章 表面处理对MIT晶体价带结构和功函数影响规律 | 第41-51页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 Ar~+刻蚀对MIT晶体表面元素芯能级和功函数影响 | 第41-45页 |
| 3.2.1 Ar~+离子刻蚀对MIT晶体表面元素芯能级的影响 | 第41-44页 |
| 3.2.2 Ar~+离子刻蚀对MIT晶体功函数影响 | 第44-45页 |
| 3.3 MIT(110)表面价带结构和功函数分析 | 第45-50页 |
| 3.3.1 Ar~+离子刻蚀和退火对MIT(110)价带结构的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.2 Ar~+离子刻蚀和退火对MIT(110)表面元素芯能级的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.3 Ar~+离子刻蚀和退火对MIT(110)功函数的影响 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 钝化和中间层对Au/n-MIT肖特基接触电学特性的影响 | 第51-71页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 H_2O_2处理对Au/n-MIT肖特基接触电学特性的影响 | 第51-55页 |
| 4.2.1 H_2O_2钝化对MIT表面芯能级和成分的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.2 H_2O_2钝化对Au/n-MIT肖特基接触电学特性的影响 | 第53-55页 |
| 4.3 中间层对Au/n-MIT肖特基接触电学特性的影响 | 第55-69页 |
| 4.3.1 中间层生长工艺优化 | 第55-56页 |
| 4.3.2 ITO对Au/n-MIT肖特基接触电学特性的影响 | 第56-63页 |
| 4.3.3 ZnO对Au/n-MIT肖特基接触电学特性的影响 | 第63-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 ITO和ZnO与MIT(110)接触界面特性的研究 | 第71-83页 |
| 5.1 引言 | 第71页 |
| 5.2 ITO/MIT(110)接触界面特性研究 | 第71-76页 |
| 5.2.1 ITO生长过程中MIT(110)价带结构 | 第71-72页 |
| 5.2.2 ITO/MIT(110)接触界面芯能级及元素分布 | 第72-74页 |
| 5.2.3 ITO/MIT(110)接触界面异质结带阶的计算 | 第74-76页 |
| 5.3 ZnO/MIT(110)接触界面特性研究 | 第76-82页 |
| 5.3.1 ZnO生长过程中MIT(110)价带结构 | 第76-77页 |
| 5.3.2 ZnO/MIT(110)接触界面芯能级及元素分布 | 第77-79页 |
| 5.3.3 ZnO/MIT(110)接触界面异质结带阶计算 | 第79-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第6章 Au/n-MIT肖特基接触的Ⅰ-Ⅴ-T及界面缺陷能级研究 | 第83-93页 |
| 6.1 引言 | 第83页 |
| 6.2 Au/n-MIT肖特基接触载流子传输机制的温度特性 | 第83-87页 |
| 6.3 Au/n-MIT肖特基接触势垒高度的高斯分布 | 第87-90页 |
| 6.4 Au/n-MIT肖特基接触界面缺陷能级 | 第90-91页 |
| 6.5 本章小结 | 第91-93页 |
| 第7章 Au/n-MIT肖特基接触抗辐照特性的研究 | 第93-103页 |
| 7.1 引言 | 第93页 |
| 7.2 辐照对MIT晶体光电性能的影响 | 第93-95页 |
| 7.3 辐照对MIT晶体红外透过性能的影响 | 第95-97页 |
| 7.4 辐照对Au/n-MIT肖特基接触电学特性的影响 | 第97-101页 |
| 7.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 结论 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-123页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125-127页 |
